型号:

24C02-HXY

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOP-8
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
24C02-HXY 产品实物图片
24C02-HXY 一小时发货
描述:EEPROM 400kHz~1MHz 2Kbit I2C 1.8V~5.5V
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.217
200+
0.14
2000+
0.122
4000+
0.108
产品参数
属性参数值
接口类型I2C
存储容量2Kbit
时钟频率(fc)1MHz
工作电压1.8V~5.5V
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
工作温度-40℃~+85℃

24C02-HXY 产品概述

一、产品简介

24C02-HXY 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的低功耗串行 EEPROM 器件,容量 2Kbit(256 字节),采用双线 I2C 接口,封装为 SOP-8。器件工作电压范围宽(1.8V ~ 5.5V),支持工业级温度范围(-40℃ ~ +85℃),适用于各类需非易失性小容量数据存储的应用场景,如设备配置参数、校准数据、序列号与日志记录等。

二、主要参数

  • 存储容量:2Kbit(2048 bit = 256 Byte)
  • 接口类型:I2C(双线)
  • 时钟频率:支持 400kHz ~ 1MHz,最高可达 1MHz(Fast-mode / Fast-mode Plus)
  • 工作电压:1.8V ~ 5.5V(单电源供电)
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃(工业级)
  • 数据保持时间(TDR):100 年(typical)
  • 擦写/写入寿命:1,000,000 次(典型)
  • 单次写周期时间(Tw):约 5 ms(写入完成所需时间)
  • 封装:SOP-8
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)

三、功能特性与使用要点

  • 完整的 I2C 协议兼容性,支持标准读写操作(随址读、随机读、顺序读)和页写入操作。
  • 为保证可靠写入,应在两次写操作之间遵守 Tw(约 5 ms)的器件忙等待时间,或通过器件的 ACK Polling 判定写操作完成。
  • 器件采用宽电压设计,可直接适配 1.8V、3.3V、5V 等常见系统电压,便于在多种平台中使用。
  • 在系统设计中需在 SDA、SCL 总线上配置合适阻值的上拉电阻;若使用多器件总线,请注意器件地址分配与地址线/写保护(WP)引脚的使用(具体请参见产品数据手册)。
  • 页面写入建议按页对齐以提高效率(典型 24C02 系列常见页大小为 8 字节,具体以数据手册为准)。

四、典型应用场景

  • 工业控制器的参数存储与固件标识
  • 消费电子的配置与用户设置保存
  • 测量设备的校准常数与历史记录
  • 通信设备的序列号与配置备份

五、设计与选型建议

  • 若系统需频繁写入同一地址,应评估写入寿命(100 万次)与数据保持(100 年),并在固件中加入擦写均衡策略以延长寿命。
  • 在高速模式(接近 1MHz)下,请验证 PCB 布线与上拉电阻以满足信号完整性与上升时间要求。
  • 购买与量产前,建议索取华轩阳电子的完整规格书与样片进行功能与可靠性验证。

24C02-HXY 以其宽电压兼容、工业级温度、长期数据保持与高写入寿命,适合需要稳定、低容量非易失性存储的各类嵌入式与工业应用。详细引脚定义、时序与电气特性,请参考华轩阳电子提供的产品数据手册。