SI2387DS-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI2387DS-T1-GE3 为 VISHAY（威世）出品的 P 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET® 工艺。器件耐压等级为 80V，适用于中低功率开关与高边负载控制场合。封装为常见的 SOT-23-3（TO-236-3），便于表贴与空间受限的电路板设计。

二、主要规格与性能指标

• 类型：P 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：-80V
• 连续漏极电流 Id：3A
• 导通电阻 RDS(on)：242 mΩ @ VGS = 4.5V
• 阈值电压 VGS(th)：2.5V @ ID = 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：10.2 nC @ 10V
• 输入电容 Ciss：395 pF；输出电容 Coss：155 pF；反向传输电容 Crss：7 pF
• 最大耗散功率 Pd：2.5 W
• 封装：SOT-23-3（TO-236-3）

三、器件特性要点

• 逻辑电平兼容性：在 VGS = -4.5V 时的 RDS(on) 指标表明器件可在较低栅压下实现有效导通，适合直接受较低电平驱动的高边开关。
• 中等栅极电荷：Qg = 10.2 nC（10V）属于中等水平，切换损耗与驱动能力需配合门极驱动器或驱动电路设计。
• 低 Coss/Crss：较小的输出和反向传输电容有助于降低开关时的耦合与摆率影响，利于某些要求较快切换的应用。

四、典型应用场景

• 高边开关与负载断开（便于在正电源侧切断负载）
• 电池管理、便携设备电源路径控制
• 反向电流保护、简单功率分配开关
• 通信与工业控制中的低至中功率负载驱动

五、设计与使用建议

• 栅极驱动：由于为 P 沟道器件，需注意栅源电压为负值以导通（VGS = Vg - Vs，应保证足够的负偏压以达到 RDS(on) 规格）。
• 热管理：Pd = 2.5 W，SOT-23 封装热阻相对较高，实际应用中请根据环境温度与 PCB 铜箔面积评估功耗分散，必要时加大铜箔散热或并联器件。
• 开关损耗控制：考虑 Qg 与 Coss 在高频切换时的能量消耗，选择合适驱动速率与回路布局以降低 EMI 与开关应力。

六、可靠性与封装注意

• 封装为 SOT-23-3，适配自动贴装与回流焊工艺。建议遵循 VISHAY 推荐的回流曲线与 ESD 防护规范。
• 工作温度范围广（-55°C ~ +150°C），适用于工业级环境，但在高温与高功耗工况下需谨慎热设计与寿命评估。

七、选型提示与替代建议

在需要更低 RDS(on) 或更高电流承载能力的场合，可考虑同厂商或其他厂商更大封装或更低导通电阻的 P 沟道 MOSFET；若侧重开关速度与驱动功率，可优先选择 Qg 更小或配套门极驱动方案的产品。购买时请核对完整数据手册以确认峰值脉冲电流、热阻及包封细节。