型号:

V1FM10-M3/H

品牌:VISHAY(威世)
封装:DO-219AB(SMF)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
V1FM10-M3/H 产品实物图片
V1FM10-M3/H 一小时发货
描述:肖特基二极管 770mV@1A 100V 50uA@100V 1A
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.386
3000+
0.362
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)770mV@1A
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流1A
反向电流(Ir)50uA@100V
工作结温范围-40℃~+175℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

V1FM10-M3/H 产品概述

一、产品简介

V1FM10-M3/H 为 VISHAY(威世)推出的一款独立式肖特基整流二极管,面向中小功率开关电源、续流、反向保护与功率整流等应用。其主要电气参数为:直流整流电流 IO = 1 A,直流反向耐压 VR = 100 V,正向压降 Vf = 770 mV @ 1 A,反向漏电流 Ir = 50 μA @ 100 V,非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30 A;工作结温范围为 −40 ℃ 至 +175 ℃。封装为 DO-219AB(标注为 SMF),适合表面贴装工艺。

二、主要特性与优势

  1. 低正向压降:在 1 A 工作电流下 Vf 典型值约 770 mV,相较于普通硅整流器具有更低的导通损耗,提升效率并降低发热。
  2. 低反向泄漏:在 100 V 反向电压下 Ir 约 50 μA,适合要求低漏电的电源保护与待机电路。
  3. 较高浪涌承受能力:非重复峰值浪涌电流 Ifsm 可达 30 A(用于短时浪涌冲击),对启动瞬态与短路冲击有较好鲁棒性。
  4. 宽工作温度:结温支持 −40 ℃ 至 +175 ℃,可用于工业级与汽车电子中要求更宽温区的场合(实际系统热设计需按数据手册评估)。

三、典型应用场景

  • DC-DC 转换器二次侧整流或同步整流替代件(轻载或备用路径)。
  • 电源输入的反向保护与功率 OR-ing(多路电源冗余切换)。
  • 续流/保护二极管(开关器件、继电器驱动、伺服/电机驱动短时能量回流)。
  • 通用整流与稳压电路中的高效率替代方案,尤其在低压高频应用中可降低开关损耗。

四、封装与热管理建议

该器件采用 DO-219AB(SMF)封装,适合自动贴装和回流焊流程。尽管肖特基二极管本身具有较低的压降,但在长时间 1 A 工作或频繁脉冲时仍会产生热量。建议注意以下热管理要点:

  • PCB 散热:在焊盘下和周围使用较大铜箔面积,并在散热垫处打多点通孔连接至底层散热层,以降低结-壳温升。
  • 走线与焊盘:走线宽度匹配电流要求,焊盘设计遵循厂商推荐的打样尺寸,避免热应力集中。
  • 工作温度与降额:在高环境温度或受限散热条件下,应对允许电流进行降额,并参考数据手册的结温-电流特性曲线。

五、设计与使用注意事项

  • 浪涌规范:Ifsm 为非重复峰值浪涌电流,具体的脉冲波形(如 8.3 ms 半波)和重复条件请以厂商数据手册为准,设计时建议预留余量。
  • 反向漏电随温度上升增加:在高温条件下 Ir 会显著上升,若电路对待机漏电敏感,应在系统层面考虑温度对漏电的影响。
  • 焊接可靠性:遵循 IPC 与厂商给出的回流焊温度曲线,避免超温或过长时间高温暴露导致器件性能退化。
  • 替代与互换:选用替代件时注意 Vf、VR、Ir、Ifsm 及封装一致性,尤其是 Vf 与热耗对系统效率影响显著。

六、采购与资料

品牌:VISHAY(威世)
封装:DO-219AB(SMF)表面贴装形式
主要参数速览:1 A 整流电流、100 V 反向电压、770 mV @ 1 A 正向压降、50 μA @ 100 V 反向漏电流、30 A 非重复峰值浪涌电流、工作结温 −40~+175 ℃。
在实际设计、可靠性评估或批量采购前,建议下载并仔细阅读 VISHAY 官方数据手册与封装/焊接建议,以获取典型特性曲线、浪涌定义、热阻参数及封装推荐尺寸等关键信息。

总结:V1FM10-M3/H 是一款面向中低功率、高效率整流与保护用途的肖特基二极管,具有较低正向压降和良好的浪涌承受能力,适用于多种电源管理与保护场合。若需更高电流或更低 Vf 的方案,可在同一系列或其它封装中寻找更适配的型号。