WSP4984 产品概述

一、产品简介

WSP4984 是 WINSOK（微硕）推出的双通道 N 沟道功率 MOSFET，集成两颗性能均衡的 N 沟道晶体管于 SOP-8 150mil 封装。器件针对中低压、大电流开关应用优化，额定漏源电压 40V，连续漏极电流可达 10A，适合同步降压、负载开关和电机驱动等场景。

二、主要参数

• 类型：2 个 N 沟道 MOSFET（双通道）
• 漏源电压 Vdss：40V
• 连续漏极电流 Id：10A
• 导通电阻 RDS(on)：21 mΩ @ Vgs = 4.5V（在 5.9A 条件下）
• 栅极阈值电压 Vgs(th)：2.7V @ 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：16 nC @ 4.5V
• 输入电容 Ciss：1.95 nF
• 输出电容 Coss：250 pF
• 反向传输电容 Crss：135 pF
• 工作温度范围：-55℃ ～ +150℃
• 封装：SOP-8_150mil
• 品牌：WINSOK（微硕）

三、关键特性

• 低导通电阻：21 mΩ 的 RDS(on) 在中低压下可有效减少导通损耗，适合高效率要求的功率路径。
• 中等栅极电荷：16 nC 的 Qg 在 4.5V 驱动下保持较小开关损耗，利于用常见驱动器或 MCU 直接驱动。
• 快速开关性能：Coss 与 Crss 值适中，兼顾开关速度与 EMI 控制，利于开关电源与 PWM 驱动设计。
• 宽温度范围：-55℃ 至 +150℃ 的工作温度提升了可靠性与适用环境。

四、典型应用

• 同步整流/降压转换器（DC-DC）
• 电源管理开关与负载断开保护
• 驱动小功率直流电机与伺服系统
• 电池保护与充放电控制
• 通用功率开关模块

五、封装与热管理

SOP-8 150mil 封装有利于节省 PCB 面积，但比散热片式封装导热能力有限。实际设计中建议：

• 为功率引脚设计较宽的铜箔，增加铺铜面积并使用过孔连接到多层散热层。
• 在高电流工况下评估结-膛温升，必要时采取底层大铜皮或散热体辅助散热。

六、设计与使用建议

• 栅极驱动：推荐使用 4.5V 以上的可靠驱动电压以获得标称 RDS(on)。若驱动电压受限，请验证在低 Vgs 下的导通损耗。
• 开关布局：注意减小栅、漏、源回路环路面积，增加去耦电容以降低 EMI。
• 并联使用：可并联以降低热应力和等效 RDS(on)，并注意器件匹配与均流机制。
• 验证试验：在目标负载、频率和温度条件下做热仿真与实测验证，确认稳定工作点。

七、可靠性与选购建议

WSP4984 适合追求面积效率与中等功率密度的系统。选型时注意匹配最大电流、散热预算及开关频率要求；对关键应用建议获取样片进行功耗、热阻与寿命测试。若需更低 RDS(on) 或更强散热能力，可考虑更大封装或专用功率封装的替代品。