SDT8A60VP5-7 产品概述

一、概述

SDT8A60VP5-7 是 DIODES（美台）推出的一款 8A Trench 结构 Schottky Barrier 整流二极管，封装为 PowerDI5。该器件针对中高电流、低压降整流应用优化，具有低正向压降和较小的反向漏电流，适合开关电源、DC-DC 变换器、功率管理和续流保护等场合。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：540 mV @ 8 A
• 额定整流电流：8 A（连续）
• 直流反向耐压 (Vr)：60 V
• 反向漏电流 (Ir)：200 μA @ 60 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：140 A
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

上述参数表明器件在 8 A 工作点下仍能保持低耗散（Vf≈0.54 V），并能承受短时高幅值浪涌电流，适用于有较大启动/浪涌电流的电源系统。

三、结构与封装优势

SDT8A60VP5-7 采用 Trench Schottky 结构，能够有效降低接触电阻与载流路径电阻，进而降低正向压降与功耗。PowerDI5 封装提供较低的热阻和良好的散热路径，便于通过 PCB 导流和散热处理，提高器件在高温和高电流持续工作时的可靠性。

四、典型应用

• 开关电源的输出整流（尤其是中小功率降压转换器）
• DC-DC 转换器与点对点电源模块
• 电池充放电管理和 UPS 续流回路
• 电机驱动的自由轮二极管与浪涌钳位
• 汽车电子与工业电源中需要耐高温、抗浪涌的整流元件

五、设计与使用建议

• PCB 布局：为降低结到环境的热阻，应在焊盘下方和周围布置足够的铜箔，必要时增加过孔连接多层铜层以提升散热能力。
• 热管理：在长期 8 A 工作或靠近额定极限时，应评估结温（Tj），并保证器件结温不超过 +150 ℃ 的最大值。
• 浪涌保护：尽管 Ifsm 达 140 A，但仍建议在系统侧考虑限制浪涌或配合保险元件，以提高整机可靠性。
• 焊接与存储：遵循 PowerDI5 封装的回流焊工艺规范和存储防潮处理，避免过热或吸潮造成的封装损伤。

六、优势总结

SDT8A60VP5-7 结合 Trench Schottky 的低 Vf 特性与 PowerDI5 的热性能，既能在高电流场合降低 conduction loss，又能承受较大的瞬态浪涌，适合对效率与可靠性有要求的电源设计。其 60 V 的耐压等级使其在多数低压电源与电机控制场景中具有良好适配性，同时较小的反向电流有利于减小待机功耗与热应力。

若需进一步的详细参数（典型 Vf-T 曲线、热阻 RθJC/RθJA、封装引脚图和焊盘布局建议）或样片订购信息，请参考 DIODES 官方数据手册或联系供应渠道获取完整数据表。