TMI8118 产品概述

一、概述

TMI8118 是拓尔微推出的一款小型单通道 H 桥驱动芯片，内部集成 MOSFET，面向轻载直流电机及摆动/振动马达驱动应用。器件工作电压范围宽（1.6V~7.2V），静态电流极低（Iq = 100 nA），适合电池供电、低功耗场景；峰值输出能力可达 2A，封装为常见的 SOT-23-6，利于空间受限的消费类电子产品设计。

二、主要参数（关键规格）

• 集成 FET：是（H 桥结构，单通道）
• H 桥数量：1
• 峰值电流：2 A
• 工作电压：1.6 V ~ 7.2 V
• 导通电阻（RDS(on)）：550 mΩ（典型/最大视资料）
• 静态电流（Iq）：100 nA（极低待机功耗）
• 工作温度：-30 ℃ ~ +85 ℃
• 品牌：TMI（拓尔微）
• 封装：SOT-23-6

三、功能与优势

• 低电压驱动：支持低至 1.6V 的供电，适配单节锂电或低压系统。
• 低待机功耗：100 nA 的静态电流有助于延长电池寿命，适合长期待机的便携设备。
• 集成度高：内部集成 MOSFET，减小外部器件数量与 PCB 面积，简化布局。
• 封装小巧：SOT-23-6 便于手机配件、可穿戴、玩具等尺寸受限的应用。

四、典型应用场景

• 小型直流振动马达、微型齿轮电机驱动（玩具、手机振动、摄像头云台）
• 便携设备的方向控制与反转驱动（风扇、泵、微型致动器）
• 低功耗控制场合的单通道 H 桥需求

五、设计注意事项

• 电流与功耗：峰值 2A 仅限短脉冲，连续工作时需参考散热和芯片最大结温规格；550 mΩ 的导通电阻在较大电流下会产生较多热损耗，需评估功耗 P = I^2·R。
• 保护与滤波：尽管为集成 FET 结构，仍建议在驱动输出侧配合适的回授/抑制措施（TVS、RC 吸收、电感限流或外部续流二极管）以应对感性负载反向尖峰。
• 去耦与布局：输入电源近端放置足够的高频旁路电容（如 1 μF〜10 μF），走线尽量短且粗，保持散热通道，SOT-23-6 的热管理依赖 PCB 铜厚与散热铺铜。
• 电源与控制逻辑：确保控制引脚电平与芯片允许电压范围匹配，必要时使用电平移位或上拉/下拉电阻。

六、选型建议

若目标为超低功耗与占板面积小，同时驱动小型电机或振动器，TMI8118 是较合适的选择。但若负载电流长期接近或超过数百毫安且需更低功耗损耗，应考虑 RDS(on) 更低或具有更强散热能力的驱动器/分立 MOSFET 方案。最终选型请结合目标应用的最大连续电流、效率与热设计一并评估，并参考完整数据手册以确认极限参数与保护特性。