型号:

PESD5V0S1BA

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD5V0S1BA 产品实物图片
PESD5V0S1BA 一小时发货
描述:ESD
库存数量
库存:
2124
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0567
3000+
0.045
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压14V
峰值脉冲电流(Ipp)12A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)130W@8/20us
击穿电压9.5V
反向电流(Ir)5nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容35pF

PESD5V0S1BA 产品概述

一、产品简介

PESD5V0S1BA 是友台半导体(UMW)推出的一款单路、双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,专为保护 5V 等电平的接口和信号线免受静电放电(ESD)及雷电感应浪涌(Surge)损伤而设计。器件采用 SOD-323 小封装,适用于空间受限的移动设备、消费电子与工业接口防护场合。

二、主要特性

  • 极性:双向(对称保护双向信号)
  • 反向工作电压 Vrwm:5V,适配 5V 电源或信号线
  • 击穿电压(Vbr):9.5V(典型)
  • 钳位电压(Vcl):14V(在 8/20µs、Ipp=12A 条件下典型)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:12A(8/20µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:130W(8/20µs)
  • 反向漏电流 Ir:5nA(常温典型,低泄漏)
  • 结电容 Cj:35pF(影响高速信号时需注意)
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-5(浪涌)测试要求

三、典型电气参数(摘要)

  • 额定 Vrwm:5V
  • Vbr (Ibr 指定):≈9.5V
  • 钳位电压 Vcl (Ipp=12A, 8/20µs):≈14V
  • 峰值电流 Ipp:12A(8/20µs)
  • 峰值功率 Ppp:130W(8/20µs)
  • 结电容:35pF(典型)
  • 反向漏电流:5nA(典型)

(详细数值与测试条件请参见厂方数据手册)

四、封装与引脚

  • 封装:SOD-323(小型表贴,适合高密度板面)
  • 通道数:单路(单一保护节点)
  • 封装优势:体积小、寄生电感/电阻低,便于靠近被保护端口布局以获得最佳保护效果

五、典型应用场景

  • USB(低速/非差分高频敏感场合需评估电容影响)、GPIO、串口、I2C 等 5V 信号线防护
  • 移动设备充电/数据接口防护
  • 工业控制接口、传感器接口、点触开关与面板输入防护
  • 任何需满足 IEC 61000-4-2 / 4-5 的系统端口防护

六、设计与布局建议

  • 将 PESD5V0S1BA 靠近被保护连接器或接口放置,最短引线以降低寄生阻抗与提升响应速度。
  • 对于差分高速信号或对带宽敏感的接口(如高速 USB、HDMI、LVDS 等),注意其 35pF 结电容可能影响信号完整性;必要时选择低电容 TVS 器件或加入滤波方案。
  • 对于高能量浪涌,保证周围具有足够的散热和铜箔面积,以帮助吸收和分散能量。
  • 使用时遵循 PCB 良好接地实践,确保 TVS 的参考地(或对称连接)与系统地平面短路径连接。

七、可靠性与标准兼容

PESD5V0S1BA 通过 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-5 等等级测试,能提供对人体模型(HBM)、接触放电与工业级浪涌的有效防护。低漏电流设计有利于在待机与低功耗应用中保持系统性能。具体认证等级与测试等级请以厂方测试报告为准。

八、选型与注意事项

  • 若保护对象为严格的高速差分信号,应优先考虑结电容更低的屏蔽方案或专用高速 TVS。
  • 钳位电压 14V 在大电流冲击时为典型值,设计时需确保系统在被钳位时可承受该电压峰值。
  • 在生产与焊接过程中遵守制造商的回流温度曲线与储存/湿敏等级(MSL)说明,以保证可靠性。

PESD5V0S1BA 以其小体积、双向保护和较高的浪涌承受能力,适合在多种 5V 接口场景中作为第一道过压/静电防护选择。实际设计中建议结合具体信号速率与系统耐压需求,参照完整数据手册做最终选型与布局验证。