型号:

SMBJ30A

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SMB(DO-214AA)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMBJ30A 产品实物图片
SMBJ30A 一小时发货
描述:未分类
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.113
750+
0.0854
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)30V
钳位电压48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)12.4A
峰值脉冲功率(Ppp)600W
击穿电压33.3V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS

SMBJ30A 产品概述

SMBJ30A 是 UMW(友台半导体)推出的一款单向瞬态抑制二极管(TVS),采用 SMB(DO-214AA)封装,专为对电压突变和静电放电(ESD)等瞬态事件提供快速、可靠的防护而设计。该器件在30 V 直流等级下具有优良的钳位性能和高脉冲能量承受能力,适合用于工业、通信、电源以及汽车电子等需要 24 V/30 V 级保护的场景。

一、主要电气参数概览

  • 类型:TVS(瞬态电压抑制二极管),单向
  • 反向截止电压(Vrwm):30 V
  • 击穿电压(Vbr):33.3 V(典型)
  • 钳位电压(Vc,at Ipp):48.4 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp):600 W(峰值脉冲条件下)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):12.4 A
  • 反向电流(Ir):1 μA(在 Vrwm 条件下)
  • 防护等级:满足 IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-2(ESD)规范
  • 封装:SMB(DO-214AA)
  • 品牌:UMW(友台半导体)

二、器件特性与性能解读

SMBJ30A 的反向截止电压 30 V 使其非常适用于 24 V 或接近 30 V 的系统作为稳态工作电压的防护器件。器件的击穿电压 33.3 V 表明一旦瞬态超过 Vrwm,器件将迅速进入导通状态,从而将瞬态能量钳制在安全电平。典型钳位电压 48.4 V(在峰值脉冲电流 12.4 A 条件下)能有效限制过电压对下游器件的冲击。

低反向漏流(1 μA)保证在正常工作状态下几乎不影响电路静态偏置或功耗,而 600 W 的峰值脉冲功率和 12.4 A 的峰值脉冲电流能力则确保在高能量瞬态事件(如雷击感应或开关切换干扰)时仍能提供可靠保护。

三、应用场景

  • 工业控制设备、PLC、驱动模块等 24 V 系统的端口和电源保护
  • 通信设备的信号线和电源入口防护
  • 电源适配器、充电装置的输入端浪涌保护
  • 工业以太网、现场总线接口(如 RS-485)等需要抗 ESD/EFT 的接口保护
  • 一般电子设备在满足 IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-4 抗扰度要求时的防护方案

四、封装与安装建议

SMB(DO-214AA)封装具有良好的热耗散能力和机械强度,适合波峰或回流焊工艺。使用建议:

  • TVS 器件应尽量靠近受保护的输入/输出端或电源接口布置,以减小走线电感,提高响应速度。
  • 地线应采用短、粗的连接,必要时使用专用接地平面以提高能量分散能力并降低重复脉冲时的温升。
  • 在多通道保护中,注意器件之间的间距和公共地回流路径,避免产生环路导致防护失效。

五、典型接法说明

  • 单向 TVS:将器件阴极(标识端)接到被保护线(正极),阳极接地(或系统参考)。在正向瞬态时器件处于导通,迅速钳位电压,保护后级电路。
  • 若需双向保护,应选用双向型号或由两个单向器件组合,但需综合考虑额外复杂性与空间占用。

六、使用与注意事项

  • TVS 不是长期能量吸收器件,避免在超过 Vrwm 的持续电压下工作。若系统可能长期承受高电压,需选用合适的稳压或限流方案。
  • 高频脉冲或重复高能脉冲场景中,应评估器件的热循环与寿命,必要时采用大功率或并联器件并配合熔断/限流元件。
  • 在选择时应结合系统脉冲波形(如 8/20 μs、10/1000 μs 等)、能量等级以及浪涌频次进行仿真和试验验证。

七、结语

SMBJ30A(UMW)以其 30 V 反向耐压、低漏电、高钳位能力及 600 W 的脉冲承受力,提供了对 24–30 V 级系统实用且可靠的瞬态保护方案。适当的布局和使用注意事项能进一步发挥其防护性能,提高整体系统对 ESD、EFT 及浪涌事件的抵抗能力。若需更详细的电气曲线或封装尺寸及焊接规范,建议参考厂商提供的完整数据手册。