LESD5D5.0CT1G 产品概述

一、产品简介

LESD5D5.0CT1G 是友台半导体（UMW）推出的一款低容量、低钳位电压的瞬态抑制二极管（TVS），封装为超小型 SOD-523。器件针对 5V 及低电压数字/模拟接口提供静电(ESD)和瞬态浪涌（EFT/浪涌）保护，满足 IEC 61000-4-2（静电放电）与 IEC 61000-4-4（快速瞬变脉冲群）等抗扰度要求。

二、主要电气参数

• 反向工作电压 Vrwm：5V（适用于 5V 电源/信号线）
• 击穿电压（Vbr）：典型 7.8V
• 钳位电压（Vclamp）：18.6V（在 Ipp 条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：9.4A（8/20µs 波形）
• 结电容 Cj：15pF（适合高速信号线）
• 反向漏电流 Ir：1µA（在 Vrwm 下）
• 工作温度范围：-40℃ ~ +125℃

三、核心特性与优势

• 小型 SOD-523 封装，适合高密度 PCB 布局与自动贴装。
• 低结电容（15pF），对高速通信线路干扰小，兼顾信号完整性。
• 低漏电流，适用于对静态功耗敏感的移动和便携设备。
• 钳位电压可有效限制高能瞬态，保护下游 IC 免受损坏。

四、典型应用场景

• USB、HDMI、Ethernet 等 5V 信号接口的 ESD/EFT 保护。
• 智能手机、平板、笔记本等便携终端外部接口保护。
• 工业控制模块、通讯设备和汽车电子（非车规级环境）中的低压保护。

五、设计与布局建议

• 将 TVS 靠近需保护的接口引脚放置，最短走线连接到地。
• 使用固体地平面并设置良好回流路径，减少环路电感。
• 对于差分或高速线，可考虑与串联阻抗（如小电阻或磁珠）配合使用，以改善吸收性能并抑制反射。
• 在高温或高能量环境中评估多颗并联或更高 Ipp 等级的器件以满足可靠性要求。

总结：LESD5D5.0CT1G 以其小封装、低容、低漏电和较高的脉冲承受能力，适合在空间受限且对信号完整性有要求的 5V 接口提供高效的瞬态保护。