型号:

PESD5V0L2BT

品牌:FUXINSEMI(富芯森美)
封装:SOT-23(TO-236)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
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描述:未分类
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梯度内地(含税)
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0.109
3000+
0.0867
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压12V
峰值脉冲电流(Ipp)30A
峰值脉冲功率(Ppp)360W
击穿电压8.5V
反向电流(Ir)1uA
通道数双路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容60pF;30pF

PESD5V0L2BT 产品概述

PESD5V0L2BT 是富芯森美(FUXINSEMI)推出的一款双路双向瞬变电压抑制(ESD)二极管,专为 5V 及以下高速信号线及接口的静电与瞬态浪涌保护而设计。器件采用 SOT-23 小封装,集成两路保护通道,兼顾体积、性能与布板便利性,适合移动设备、消费电子、工业控制等对抗静电干扰有较高要求的场景。

一、主要特性

  • 双向保护,适用于双极性瞬态(正负极)冲击。
  • 额定工作电压(Vrwm):5V,适配 USB、TTL、I/O 等 5V 信号线。
  • 钳位电压:典型 12V,能在瞬态期间将线路电压限制在安全范围内。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:30A,瞬时吸收大电流冲击能力强。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:360W(按标准脉冲条件测量)。
  • 低漏电流 Ir:典型 1 μA,在无瞬态时对系统静态功耗影响微小。
  • 宽工作温度范围:-55℃ ~ +125℃,适应严苛环境。
  • 小体积 SOT-23 封装,便于自动贴装与高密度 PCB 布局。

二、关键电气参数

  • 反向截止/稳态工作电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压(Vz):约 8.5V
  • 钳位电压(Vclamp):约 12V(取决于脉冲幅度与测试条件)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:30A(标准脉冲)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:360W
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(典型)
  • 结电容 Cj:约 60 pF 和 30 pF(两路通道典型值,依测试条件略有差异)

三、封装与通道说明

  • 封装:SOT-23(TO-236)小型三引脚封装,节省 PCB 面积。
  • 通道数:双路(两路可用于两根独立信号线的保护或一对差分信号)。
  • 极性:双向,适合差分/双向数据线(如 USB D+/D- 等)。

四、典型应用场景

  • USB 接口(含 USB2.0/USB1.1)及其他 5V I/O 保护。
  • 手机、平板、笔记本等消费类电子设备的数据口防护。
  • 工业控制设备的通信接口、传感器线缆接口防护。
  • 串行总线与控制信号线(I2C、UART、SPI 等)防静电干扰。

五、选型与使用注意

  • 若保护高速差分信号,请优先关注结电容与通道不对称性对信号完整性的影响;PESD5V0L2BT 两路结电容分别约 60 pF 与 30 pF,应根据具体信号速率评估。
  • 钳位电压与系统容忍度匹配:钳位在 12V 左右,需确保被保护器件在瞬态期间不会因短时高压损坏。
  • 布局建议:保护二极管应尽可能靠近被保护器件或接口引脚放置,走线短且粗以降低电感引起的过压。接地回路短且直接,以提高能量散逸效率。
  • 若需更高能量吸收能力或更低电容版本,可参考同家族其它型号或并联保护策略(需评估等分电流问题)。

六、可靠性与合规性

  • 工作温度范围 -55℃ 至 +125℃,适合消费与工业级应用。
  • 符合 IEC 61000-4-2 ESD 抗扰度要求(具体通过级别请参见厂方完整测试报告)。
  • 器件低漏电与高脉冲吸收能力,能在长期使用中保持稳定保护性能。

总结:PESD5V0L2BT 在小体积 SOT-23 封装中提供了双路、双向、低漏电、高吸收能量的 ESD 保护解决方案,适合 5V 类信号及接口的静电防护场合。选型时应综合考虑结电容对高速信号的影响、钳位电压与系统容忍度以及 PCB 布局,以获得最佳防护效果。若需详细电气曲线、典型波形及评价条件,请参考富芯森美官方 Datasheet 或联系供应商获取完整测试资料。