S-LMUN5311DW1T1G 产品概述

一、主要参数

• 型号：S-LMUN5311DW1T1G（LRC 乐山无线电）
• 封装：SOT-363（小型表贴封装）
• 集-射极击穿电压 Vceo：50 V
• 集电极电流 Ic：100 mA（最大）
• 耗散功率 Pd：256 mW
• 直流电流增益 hFE：35（条件：Ic = 5.0 mA，Vce = 10 V）
• 导通时输出电压 VO(on)：典型 200 mV（测试条件请参见规格书）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

二、产品特性与优势

S-LMUN5311DW1T1G 是一款面向通用用途的低功耗硅三极管，特点是耐压适中（50 V）、集电极电流能力满足小信号放大与驱动（100 mA），且在低电流工况下具有稳定的直流增益（hFE≈35）。导通压降低（VO(on) ≈ 200 mV），有利于在开关或低压差驱动时降低功耗。SOT-363 封装利于高密度贴装和体积受限的应用场景。

三、典型应用

• 低电流开关与驱动电路（驱动小型继电器、光耦或指示灯）
• 小信号放大器、前置放大与电平转换
• 便携式与消费类电子中的控制逻辑和接口电路
• 传感器接口、模数前端缓冲与驱动

四、封装与布局建议

SOT-363 为6引脚微小型封装，适合集成度高的PCB设计。由于封装体积小，建议在布局时注意散热通道和邻近热源，保持良好的铜箔铺设与过孔连通，必要时在散热敏感区增设散热岛或加大焊盘面积。具体引脚定义和焊盘尺寸请以厂家数据手册为准。

五、热管理与可靠性

256 mW 的耗散功率在小封装中属于常见限制，实际使用时应考虑环境温度和PCB散热条件，对功耗进行热降额（derating）。在高温或高占空比开关情况下，应避免长期接近最大额定值，以提高可靠性并防止热失效。

六、使用建议与注意事项

• 驱动基极时应使用限流电阻，防止基极过流；设计时考虑 hFE 在不同电流点的变化。
• 在做开关应用时，请参考规格书确定 VO(on) 的测试条件及对应的饱和电流范围。
• 避免超过 Vceo 50 V 与 Ic 100 mA 的绝对最大额定值，注意瞬态过压与浪涌电流保护。
• 进料与贴装过程中注意静电防护（ESD），并严格按回流焊曲线对焊接温度进行控制。

七、结论

S-LMUN5311DW1T1G 是一款面向通用小信号应用的三极管，兼具低导通压降、适中的放大倍数与小型封装优势，适合便携设备与高密度PCB 的低功耗开关和放大场合。为获得最佳性能，请结合实际电路工作点参考厂家完整数据手册并做好热设计与保护措施。