型号:

S1M

品牌:TWGMC(台湾迪嘉)
封装:SMA
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
S1M 产品实物图片
S1M 一小时发货
描述:通用二极管 独立式 1.1V@1A 1kV 1A
库存数量
库存:
3449
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0298
2000+
0.0226
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.1V@1A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流1A
反向电流(Ir)5uA
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A
工作结温范围-55℃~+150℃

S1M — 通用整流二极管(TWGMC 台湾迪嘉,SMA 封装)产品概述

一、产品概览

S1M 为TWGMC(台湾迪嘉)出品的独立式通用整流二极管,适用于中高压、一般功率整流与浪涌抑制场合。主要电气参数如下:

  • 二极管类型:独立式(离散元件)
  • 封装:SMA(表面贴装)
  • 最大直流整流电流(IF):1 A(连续)
  • 正向压降(Vf):典型 1.1 V @ 1 A
  • 直流反向耐压(VR):1000 V(1 kV)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):30 A(单次脉冲)
  • 反向漏电流(IR):典型 5 μA
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃

二、主要性能亮点

  • 高耐压:1 kV 的反向耐压使得 S1M 在高压整流、开关电源高压侧、充电器与离线电源等场景中表现突出,能直接承受较高的反向电压。
  • 低正向压降:1.1 V @ 1 A 的 Vf 在同类高压整流器件中属较低水平,有利于降低整机功耗与发热,尤其在连续整流应用中提升效率。
  • 良好浪涌能力:30 A 的非重复峰值浪涌电流能承受开机涌流或短时过载冲击,提升系统可靠性。
  • 宽温度范围:-55 ~ +150 ℃ 的结温允许器件在较严苛环境下长期工作,适合工业级与严苛电源应用。

三、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)高压整流、续流保护
  • 离线电源、适配器和充电器的高压侧整流
  • 工业电源、测试设备中的高压整流与保护
  • 逆变器、照明电子镇流器等需要高压整流的小功率电路
  • 浪涌抑制与过压钳制电路(作为吸收/分流元件)

四、封装与热管理建议

SMA 封装体积小、适合表贴自动化生产,但散热能力受限。使用时注意:

  • PCB 散热:在器件两侧增加铜箔面积、铺设热铜带与过孔以提高散热能力。对连续 1 A 工作和反复脉冲,应设计充分铜面积并考虑铜厚。
  • 功率与结温:尽量避免长期在靠近最高结温(150 ℃)工作,建议在系统设计中预留一定的温度裕量并做热仿真。若需更高平均功率,应选用更大封装或并联多只器件(并联时注意电流分享与热平衡)。
  • 浪涌处理:Ifsm = 30 A 适用于短时浪涌,非长期过载。若设备存在持续大冲击或频繁浪涌,应采用额定更高的器件或增加限流措施。

五、封装与焊接注意事项

  • SMT 焊接:SMA 为常见表贴封装,兼容标准回流焊流程。建议遵循PCB制造与回流焊规范,避免超温或长时间回流导致封装应力或性能劣化。
  • 机械应力:贴片后应避免在器件上施加过大机械力,焊点不要过度刮擦。储存和贴装过程中注意防潮与防静电。
  • 引脚与焊盘设计:遵循厂方推荐焊盘尺寸与过孔布局以保证良好热流及焊接可靠性。

六、选型与替代建议

  • 若目标为更低的导通损耗与更高效率,可考虑 Schottky 二极管,但高压(1 kV)下常见 Schottky 容易受限于反向耐压,需在电压等级与 Vf 间权衡。
  • 若电流需求超过 1 A,应选用额定电流更高的整流器件或采用多只并联并确保热均衡。
  • 对于对反向恢复特性有严格要求的高频开关应用,可考虑专用快速恢复二极管或屏蔽恢复器件以降低开关损耗与电磁干扰。

七、质检与应用验证建议

  • 来料检验:抽样测试正向压降(Vf@1 A)、反向漏电流(IR@VR)、绝缘耐压与外观检查。
  • 可靠性测试:在目标应用温度与负载条件下做温升与循环测试,验证结温与散热设计是否满足长期可靠性要求。
  • 保护与冗余设计:对于关键电源路径,可设计过流保护、限流或冗余器件以应对异常工况。

总结:TWGMC 的 S1M(SMA 封装)是一款适用于中高压、1 A 等级的通用整流二极管,结合 1 kV 的高压耐受能力、较低的正向压降与良好的浪涌承受力,适合各类离线电源、高压整流与保护电路。合理的 PCB 热设计与焊接工艺是保证其长期稳定工作的关键。