型号:

4N25

品牌:EVERLIGHT(台湾亿光)
封装:DIP-6
批次:24+
包装:管装
重量:-
其他:
-
4N25 产品实物图片
4N25 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 5kV 1.2V
库存数量
库存:
161
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:65
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.551
65+
0.48
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压80V
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@50mA,2mA
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值20%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)60mA

4N25 产品概述(EVERLIGHT 亿光,DIP-6)

一、产品简介

4N25 为直流输入型晶体管输出光耦(光电三极管),EVERLIGHT(台湾亿光)常见的封装形式为 DIP-6。器件提供高达 5 kVrms 的输入/输出隔离,可用于数字信号隔离与低频模拟隔离。典型应用包括微控制器接口隔离、电源监控、开关状态传递及工业控制信号隔离等。

二、主要电气参数(摘要)

  • 隔离电压:5 kVrms
  • 输入类型:DC(直流 LED)
  • LED 正向压降 Vf(典型):1.2 V
  • LED 反向耐压 Vr:6 V
  • 最大正向电流 If:60 mA(绝对最大值)
  • 电流传输比 CTR(最小):20%(典型测试条件下)
  • 集电极—发射极饱和电压 VCE(sat) ≤ 500 mV(测试条件:If = 50 mA,Ic = 2 mA)
  • 输出类型:光电三极管(集电极允许负载电压最高可至 80 V)
  • 总功耗 Pd(器件耗散):200 mW
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +110 ℃
  • 封装:DIP-6

三、典型功能与特性

  1. 高隔离性:5 kVrms 隔离等级适合一般工业与消费类设备的信号隔离,能有效阻断地环路与干扰。
  2. 直流输入设计:LED 驱动方便,与 MCU、逻辑电平直接接口,需串联限流电阻。
  3. 光电三极管输出:输出为 NPN 型光电三极管,适合做开集电极输出,便于与上拉电阻搭配工作。
  4. 宽电压承受:器件可承受较高的集电极电压(资料中给出负载电压 80 V),适用于较高侧或工业电平检测。
  5. 耐高低温:-55 ℃ 至 +110 ℃ 的工作范围满足严苛环境要求。

四、设计与使用建议

  • LED 驱动:按 R = (Vcc - Vf) / If 计算限流电阻。例如在 5 V 系统,若取 If = 2 mA,则 R ≈ (5 - 1.2) / 2 mA ≈ 1.9 kΩ(取 1.8 kΩ 或 2 kΩ)。用于快速或大电流传输时注意 If 不超过 60 mA 的极限。
  • 输出接口:光电三极管通常作为开集电极输出使用,需外接上拉电阻。上拉电压与器件允许的负载电压(最高 80 V)相匹配;上拉电流与 CTR、所需输出电流共同决定上拉电阻值。
  • CTR 考虑:CTR 随 If、温度、器件批次变化,设计时留裕量,若用于可靠的开关动作建议适当增大 If 或采取施密特触发/放大电路。
  • 寿命与稳态:避免长时间在额定极限功耗 Pd 附近工作,必要时加以散热或降低工作电流以提高可靠性。
  • 基极利用:DIP-6 的第 6 引脚通常为基极,引出基极可用于线性放大或改善开关特性(根据应用选择是否接地或外接偏置)。

五、封装与引脚(参考)

封装:DIP-6(塑料双列直插)。常见引脚排列(标准 4N25)为:1=Anode, 2=Cathode, 3=NC, 4=Emitter, 5=Collector, 6=Base。实际器件请参照亿光官方规格书确认引脚与机械尺寸。

六、注意事项

  • 本器件为 DC 输入,禁止直接反向施加大于 Vr(6 V)的反向电压。
  • 焊接与清洗:遵守厂商给出的波峰/手工焊接温度曲线,避免过热造成光电元件损伤。
  • ESD 与静电:LED 与晶体管对静电敏感,贴片/装配时做好防静电措施。
  • 说明书优先:以上为参数摘要与设计建议,具体电气特性曲线、典型波形与绝对最大额定值应以 EVERLIGHT 官方数据手册为准。

总结:4N25(EVERLIGHT,DIP-6)是一款适用于直流信号隔离、具有良好隔离电压与可靠输出特性的光电三极管光耦,适合多种嵌入式与工业控制场景,设计中需充分考虑 CTR、If 与器件功耗限制,以确保稳定工作。