PTVSHC3D4V5BH 产品概述

一、产品简介

PTVSHC3D4V5BH 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路瞬态抑制二极管（TVS），用于静电放电（ESD）与浪涌保护。器件采用 SOD-323 小型封装，适合空间受限的消费电子与工业接口防护，型号定位为对 5.1V 工作电压的电路提供高速脉冲保护。

二、关键参数

• 类型：单路 TVS（瞬态电压抑制器）
• 钳位电压（Vc）：20V（典型）
• 击穿电压（Vbr）：4.6V
• 反向截止电压（Vrwm）：5.1V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：2.7kW @ 8/20µs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：160A @ 8/20µs
• 反向漏电流（Ir）：≤2µA
• 结电容（Cj）：≈300pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT）
• 封装：SOD-323

三、性能亮点

• 高脉冲功率承受能力（2.7kW@8/20µs）和大峰值浪涌电流（160A），能有效吸收瞬态能量，保护下游器件。
• 低漏电流（2µA），在待机或低功耗场景下对系统影响小。
• SOD-323 封装体积小、热阻低，利于贴片化自动化生产与可靠焊接。
• 满足 IEC ESD/EFT 标准，适合对接外部可接触接口的保护需求。

四、典型应用场景

• USB、串口、低速信号线及5V系统电源轨保护。
• 消费电子（手机配件、便携式设备）、工业控制模块与仪表中需局部防护的接口。
• PCB 上靠近连接器的位置进行过压与静电泄放防护。

五、选型与布局建议

• 由于结电容约为300pF，器件对高速差分信号（如高速 USB/HDMI）可能引入显著电容负载，建议用于电源线或对电容敏感性低的信号；高速链路应优先选择低电容型 TVS。
• 器件应尽量靠近被保护的连接器或输入端放置，缩短走线并保证良好地线回流。必要时在 TVS 与关键器件之间增加串联阻抗（阻容或铁氧体）以改善浪涌能量分配。
• 遵循厂商推荐焊盘及回流温度曲线，SOD-323 有利于常规 SMT 工艺。

六、可靠性与使用注意

• 工作温度范围 -55℃ 至 +125℃ 满足工业级应用。长期在高温高能脉冲环境下使用，建议按系统热设计与循环应力考量余量。
• 在反复高能冲击后，器件特性可能变化，关键系统应做整机级耐久性验证。

PTVSHC3D4V5BH 以其高能量承受能力、工业级温度范围和小巧封装，适合对 5V 级电路进行可靠的瞬态与静电防护。在选型时应结合系统对信号带宽、容性负载和功率吸收需求综合评估。