PTVSHC3D12VU — Prisemi（芯导）单路TVS静电与浪涌保护器件概述

一、产品简介

PTVSHC3D12VU 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路瞬态电压抑制器（TVS），用于对静电放电（ESD）与浪涌脉冲提供快速钳位保护。器件采用 SOD-323 小封装，适合空间受限的消费类与工业电子产品，用以保护接口与电源线免受瞬态过压损害。

主要参数一览：

• 钳位电压（Vc）：30 V
• 击穿电压（Vbr）：15 V
• 反向截止电压（Vrwm）：12 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：1.3 kW @ 8/20 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：50 A @ 8/20 μs
• 反向漏电流（Ir）：1 μA
• 结电容（Cj）：295 pF
• 通道数：单路
• 防护标准：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）
• 封装：SOD-323

二、主要性能特点

1. 高能量吸收：在标准 8/20 μs 波形下，器件可承受高达 1.3 kW 的瞬态能量，对短时浪涌与雷击后续波形具有良好缓冲能力。
2. 有效钳位：峰值脉冲时钳位电压可控制在 30 V 附近，能限制被保护线路上的过压幅值，降低下游器件损坏风险。
3. 低漏电流：反向漏电流仅 1 μA，适合对待机功耗敏感的应用场合。
4. 中等结电容：295 pF 的结电容对高速信号线会有一定影响，适合低速或电源线防护场景。
5. 小型封装：SOD-323 占板面积小，便于在空间受限 PCB 上布局。

三、推荐应用场景

• 手机充电与数据接口的浪涌/ESD 辅助保护（需注意结电容对高速数据的影响）
• 小型电源轨（≤12 V）过压和瞬态抑制
• 工业控制与传感器接口的脉冲抗扰设计
• 消费电子、可穿戴设备、车载副系统（非车规高能冲击）等空间受限场合

四、设计与布局建议

1. 放置位置：将 TVS 器件尽可能靠近受保护的连接器或线路入口，最短输入走线以减少环路感应。
2. PCB 布局：保持引脚与地之间的短且粗的回流路径，避免长回路与不必要的串联阻抗。
3. 配合组件：对于高速信号线，建议评估 295 pF 的影响，必要时改用低电容 TVS 或增加串联阻抗以平衡信号完整性与保护性能。
4. 热与功率管理：根据 PCB 及封装热阻进行能量吸收评估，必要时分配散热区或并联器件以提升耐冲击能力。
5. 选型校核：确保系统正常工作电压显著低于 Vrwm（12 V），避免长期触发导致器件疲劳。

五、注意事项与选型提示

• 若应用为高速差分信号（USB3.x、HDMI、PCIe 等），295 pF 结电容可能导致信号衰减与失真，应选用专为高速设计的低电容 TVS。
• 对于需双向保护或高压直流线路，请确认器件方向特性和最大耗散能力；本器件以反向截止电压 12 V 为选型基准。
• 在进行系统级抗扰试验（如 IEC 61000-4-2/4）时，结合 PCB 实际布局验证器件性能，以确保满足整机规范。

总结：PTVSHC3D12VU 在小封装下提供较高瞬态能量吸收与低漏电流的保护能力，适合对 12 V 级别电源线或低速接口进行可靠的浪涌与 ESD 防护；在选型时应重点考虑结电容对信号完整性的影响与系统工作电压匹配。