型号:

MSESD5Z5.0C

品牌:MSKSEMI(美森科)
封装:SOD-523
批次:两年内
包装:编带
重量:0.026g
其他:
MSESD5Z5.0C 产品实物图片
MSESD5Z5.0C 一小时发货
描述:保护器件 5C
库存数量
库存:
3953
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0651
3000+
0.0516
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)7A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)105W@8/20us
击穿电压9V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容15pF

MSESD5Z5.0C 产品概述

一、产品简介

MSESD5Z5.0C 是美森科(MSKSEMI)推出的一款单路瞬态电压抑制保护器件,类型为 ESD 保护二极管(保护器件 5C)。器件采用超小型 SOD-523 封装,专为对 5V 工作电压线路提供高效的静电放电与脉冲浪涌保护而设计,兼顾体积、响应速度与信号完整性。

二、主要性能参数

  • 钳位电压(Vc):15V(在脉冲条件下)
  • 击穿电压(Vbr):9V
  • 反向截止电压(Vrwm):5V(推荐工作电压)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):105W(8/20μs)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):7A(8/20μs)
  • 结电容(Cj):15pF
  • 反向电流(Ir):≤1μA
  • 通道数:单路
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(EFT)标准

三、关键特性与优势

  • 高能量吸收:在 8/20μs 测试波形下可承受高达 105W 的脉冲功率和 7A 峰值电流,能有效钳制瞬态过电压,保护后端电路。
  • 低漏电流:反向漏电仅 1μA,适合对静态功耗敏感的系统。
  • 低结电容:典型 15pF,能在保证保护效果的同时尽量减小对高速信号的影响,适用于一般高速接口的保护需求。
  • 小型封装:SOD-523 占板面积小,适合移动设备与空间受限的 PCB 设计。
  • 标准兼容:满足 IEC 61000-4-2/4 等电磁兼容规范,便于产品通过 EMC 认证。

四、典型应用场景

  • USB、UART、RS-232/485 等 5V 及信号接口的输入/输出保护
  • 手机、平板、笔记本等便携式终端的外部 I/O 保护
  • 摄像头模组、传感器接口、物联网(IoT)终端等空间受限场合
  • 工业控制与测量设备的信号线防护(需根据现场浪涌等级选型)

五、安装与使用建议

  • 建议将器件尽可能靠近被保护的接口或连接器放置,缩短沿线路经并减小寄生电感与电阻,以提高保护效率。
  • 对于差分高速信号线,需评估 15pF 的电容对信号完整性的影响,必要时在 PCB 设计上采用合适的阻抗匹配与走线布局。
  • SOD-523 为小型封装,焊接时注意温度曲线与回流规范,避免过热影响可靠性。
  • 在设计过热或高能环境时,应评估整机散热与多次脉冲情况下的累积应力。

六、封装与订购信息

  • 品牌:MSKSEMI(美森科)
  • 型号:MSESD5Z5.0C
  • 封装:SOD-523(单路)
  • 描述:ESD 保护器件,适用于 5V 工作电压线路
  • 如需样品或大批量采购,请提供应用场景与预期浪涌等级,以便选型及提供相应的测试报告和封装管脚图。