型号:

LBC857CLT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-23
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
LBC857CLT1G 产品实物图片
LBC857CLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA PNP
库存数量
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0483
3000+
0.0383
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)420@2.0mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

LBC857CLT1G — 300mW、45V、100mA PNP 小信号三极管概述

一、产品概况

LBC857CLT1G 为 LRC(乐山无线电)出品的 PNP 小信号双极型晶体管,采用 SOT-23 小封装,针对低功耗、空间受限的开关与放大应用进行了优化。器件具有较高的直流电流增益、良好的截止特性与中高频响应,适合便携式电源管理、信号放大与低电流开关电路。

二、主要特点

  • 直流电流增益 hFE 高达 420(测试条件 2.0mA, 5.0V),在低电流工作点上有良好放大能力。
  • 极限集电极电流 Ic = 100mA,适合驱动小型负载和作为前级放大器。
  • 集电极-射极击穿电压 Vceo = 45V,可用于中等电压环境。
  • 特征频率 fT = 100MHz,支持较高频段的小信号放大。
  • 集电极截止电流 Icbo = 4µA,漏电小,有利于低功耗设计。
  • 集电极耗散功率 Pd = 300mW(SOT-23),须注意热量管理。
  • VCE(sat) ≈ 300mV(在 10mA/0.5mA 条件),开关导通压降低。
  • 工作温度范围宽:-55℃ 至 +150℃,满足工业级温度要求。

三、电气特性要点(摘要)

  • hFE 优势:适合希望以小基极电流取得较大输出电流的放大电路。
  • 频率性能:fT=100MHz 支持音频以上至射频前端的快速开关与小信号放大。
  • 低泄漏与低饱和压:有利于降低静态功耗并提升开关效率。
  • 注意 Vebo = 5V,基-射极反向击穿电压较低,布线与驱动时避免反向大电压施加于 BE 结。

四、典型应用场景

  • 便携设备的电源反向/低侧开关与电平移位。
  • 微弱信号前置放大,如传感器接口、音频放大前级。
  • 模拟开关、反相器与小电流驱动场合。
  • 高频小信号处理与脉冲电路(基于其 fT 特性)。

五、设计与使用建议

  • 在 SOT-23 小封装下,Pd=300mW 需在电路板上配合合理铜箔散热与热过载保护;高环境温度下应按资料曲线做功耗降额设计。
  • 驱动时注意基极限流、电容旁路与抑制反向 VBE,以免触及 5V 的 BE 反向极限。
  • 作为开关使用时,为保证低饱和压应设计合适的基极驱动以提供足够基极电流(参考 hFE 与所需 Ic)。
  • SOT-23 封装引脚排列在不同厂商可能有差异,推荐在设计前参照官方数据手册确认引脚定义与焊盘尺寸。

六、封装与采购信息

  • 封装:SOT-23,单个器件封装,适合 SMT 高密度应用。
  • 品牌:LRC(乐山无线电)。
  • 供应与替代:在替代选择时,可比对 hFE、Vceo、Ic 和 fT 等关键参数以确保电路性能匹配。

如需电路示例、热降额曲线或封装引脚图,建议参考 LRC 官方数据手册以获取完整规范与典型应用电路。