型号:

LBC856BLT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-23
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
LBC856BLT1G 产品实物图片
LBC856BLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 65V 100mA PNP
库存数量
库存:
10557
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0469
3000+
0.0373
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)220@2.0mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集射极饱和电压(VCE(sat))650mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

LBC856BLT1G 产品概述

一 产品简介

LBC856BLT1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款小信号 PNP 晶体管,采用 SOT-23 表面贴装封装,面向便携与工业电子中的信号放大与低功耗开关场景。该器件在保证较高击穿电压的同时,具备良好的直流电流放大率和较高的特征频率,适用于对体积、成本和可靠性有要求的电路设计。

二 主要特性

  • 晶体管类型:PNP,SOT-23 封装(适合 SMT 生产)。
  • 直流电流增益 hFE:典型 220(测试条件 2.0 mA、VCE = 5.0 V)。
  • 特征频率 fT:约 100 MHz,适合宽带小信号放大。
  • 集电极击穿电压 VCEo:65 V,适用于中等电压场合。
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA,功耗 Pd:225 mW(封装限制)。
  • 漏电与击穿限值:集电极截止电流 Icbo ≈ 4 μA;射基极反向击穿 Vebo ≈ 5 V。
  • 饱和电压 VCE(sat):约 650 mV(典型),适用于低功耗开关但非超低饱和场合。
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃,满足宽温区应用需求。

三 电气与热管理注意事项

  • 最大额定值如 Ic = 100 mA、Pd = 225 mW 是器件极限,应在安全裕度下工作;高温环境下需按厂家热特性曲线线性降额。
  • 射基极反向电压 Vebo = 5 V,切勿在电路中长期反向施加超过该值的电压,以免损伤基区结。
  • 对于高功率工况,应通过合理的 PCB 散热设计(加厚铜箔、散热过孔等)降低结温,具体热阻参数请参考原厂数据手册。
  • 当器件作为开关使用时,应合理设置基流以控制饱和程度,避免过大基流导致不必要的功耗或热量集中。

四 典型应用场景

  • 低功耗信号放大器、前置放大与电平转换电路;
  • 小电流开关、驱动小继电器或指示器件;
  • 便携设备、传感器接口与模拟前端;
  • 需要较高耐压和中频增益的混合信号电路(音频到几十 MHz 的应用)。

五 封装与选型建议

  • SOT-23 小型封装利于自动化贴装与高密度 PCB 布局。实际引脚排列和母材热阻请以 LRC 官方数据手册为准。
  • 选型时考虑系统最大结温与功耗预算,若工作电流接近 Ic 极限或需更低饱和电压,应考虑更大功率封装或并联/替代型号。
  • LBC856BLT1G 适合在体积受限且要求中等电压承受能力的产品中替换与应用,批量采购时请关注原厂标识与出货规格。

如需电路实例、引脚排列或热阻与降额曲线,可根据项目要求进一步提供相应数据图与参考设计。