MMBT3904T 产品概述

一、概述

MMBT3904T 是一款由 BORN（伯恩半导体）推出的低功耗小信号 NPN 晶体管，封装为 SOT-523，适合高密度表面贴装电路。器件在低电流工作点下表现出稳定的直流电流增益，且具备较高的频率特性与耐压能力，适用于微弱信号放大、开关和驱动等通用场合。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN
• 直流电流增益 (hFE)：40 @ Ic=0.1mA, VCE=1V
• 集电极电流 (Ic)：最大 200mA（连续）
• 集电极击穿电压 (Vceo)：40V
• 耗散功率 (Pd)：150mW
• 集电极截止电流 (Icbo)：50nA（典型/最大值视测试条件而定）
• 射基极击穿电压 (Vebo)：6V
• 特征频率 (fT)：300MHz（适合高频小信号放大）
• 集射极饱和电压 (VCE(sat))：约 300mV @ Ic=50mA 或 5mA（具体随偏流变化）

三、性能特点

• 小封装（SOT-523），适合空间受限和高密度布板设计。
• 低静态功耗与中等增益，便于偏置与稳定工作。
• 高频特性良好（fT≈300MHz），适合中高频放大电路。
• 耐压 40V，可应对常见信号与驱动电压环境。
• 宽工作温度范围：-55℃ 至 +150℃，适用于工业级温度要求。

四、典型应用

• 小信号放大器、前置放大、射频低功率放大。
• 开关电路、驱动小型继电器或指示灯（注意功耗和饱和压降）。
• 电平移位、缓冲器、数字电路接口。
• 高密度消费电子、便携设备、传感器前端等应用。

五、布局与散热建议

• SOT-523 封装热阻较大，应注意版面铜箔扩展以改善散热。
• 在集电极或与器件热路径相连的铜箔上增加散热面积，可提高 Pd 的实际承载能力。
• 对于需长期大电流（接近 Icmax）应用，应进行热仿真并留裕量，避免长期工作在高结温下影响可靠性。

六、选型与使用注意

• 依据实际工作电流、功耗与频率要求选择器件，若工作电流持续偏高建议选用功耗更高的封装或并联设计。
• 关注 Vebo（6V）以防止基极反向过压损坏。
• 进行静电防护（ESD）处理，SOT-523 器件针脚小，搬运与焊接时宜使用防静电措施。
• 推荐在实际电路中做器件级测试以确认 hFE、VCE(sat) 等对系统性能的影响。

如需封装尺寸图、典型电路、或与其它封装/参数器件的对比，我可提供进一步资料与选型建议。