SD12C 瞬态抑制二极管（TVS）产品概述

一、产品简介

SD12C 是由 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向瞬态抑制二极管（ESD/TVS），封装为 SOD-323。该器件以 12V 反向稳压工作点（Vrwm = 12V）为基准，击穿电压 VBR(min)=13.3V，在脉冲峰值电流 IPP=10A 时的钳位电压 VC≈26V，能够在 8/20μs 波形下承受高达 260W 的峰值脉冲能量。器件结电容约 30pF，反向漏电流 Ir ≤ 1 μA，针对瞬态过电压、静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）与浪涌（Surge）等干扰提供可靠保护，符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 等电磁兼容标准测试要求。

二、主要参数与特性

• 钳位电压（VC）：26V @ IPP = 10A
• 击穿电压（VBR）：13.3V（最小）
• 反向截止电压（Vrwm）：12V（稳态工作电压）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：260W（8/20μs）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：10A（8/20μs）
• 结电容（Cj）：≈30pF
• 反向漏电流（Ir）：≤1 μA
• 极性：双向（Bi-directional）
• 类型：ESD/TVS 抑制器
• 封装：SOD-323（小型贴片）
• 兼容标准：IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-4 / IEC 61000-4-5

器件特点：小型化封装、高效抑制、低漏电、对正负极性瞬变均可工作（无需方向区分），适合空间受限且对双向瞬态有要求的应用场景。

三、典型应用场景

• 通讯接口（RS-485、CAN 总线、串行数据线等）——对于允许数十皮法寄生电容的差分或半差分接口非常适用。
• 电源线路保护（12V 工业/车载子系统的瞬态抑制）——作为局部浪涌与 ESD 防护件。
• 智能终端、工业控制、楼宇自控等需要抗干扰能力的电子设备。
• 接口板卡、I/O 端口及接口母线的局部保护。 注意：由于结电容约 30pF，若用于超高速接口（例如 USB3.x、HDMI、PCIe 等）可能影响信号完整性，应选择更低电容的 TVS 器件。

四、设计与 PCB 布局建议

• 放置位置：将 SD12C 尽量靠近被保护端口（受扰源）与接地回路的入口处，缩短信号/电流回路长度与环路面积，以降低感性耦合。
• 接地处理：对于常规应用，将器件另一端直接接地（或与配套电源/地回路短接）；确保地线低阻、短路径，并优先使用连续的接地平面。
• 走线与封装：SOD-323 为小型封装，焊盘设计按厂方建议进行，避免过长的走线与不必要的过孔（vias），以降低寄生电感与寄生阻抗。
• 热与功率散布：大脉冲能量依靠 PCB 铜面吸收，尽量使用较大铜面积作为散热与能量分散路径，必要时在保护器件附近加敷铜以提高脉冲承受能力。

五、可靠性与合规

SD12C 能通过常见的电磁兼容（EMC）测试要求，特别是 ESD（IEC 61000-4-2）、电快速瞬变（IEC 61000-4-4）与浪涌（IEC 61000-4-5），在不超过其脉冲能力范围内能有效吸收高幅值短时瞬变。器件低漏电与稳定的击穿阈值保证在正常工作电压下不会误触发保护，适合长期在线工作的接口保护方案。

六、封装与使用注意事项

• 封装：SOD-323，适合贴片回流焊，无铅回流工艺兼容。
• 抗静电操作：尽管器件用于抑制 ESD，但在生产、装配与测试过程中仍应遵守 ESD 防护规程（接地腕带、静电工作台面等）。
• 存储与回流焊：按照常规贴片器件管理，避免潮湿敏感引起焊接缺陷；推荐遵循器件包装说明与回流焊温度曲线（兼容主流无铅回流工艺）。

七、选型与替代建议

当系统工作电压、允许钳位电压和结电容均与 SD12C 符合时，SD12C 提供了小体积与可靠抑制能力的平衡方案。若目标接口对寄生电容更敏感（如高速 USB/音视频接口），应考虑低 Cj（<5–10pF）且相应 Vrwm 匹配的 TVS 器件。若需要更高能量吸收能力或更小钳位电压，可在更大封装或更高功率等级的 TVS 中选择替代品。

总之，SD12C 适合需要在有限空间内实现对 12V 级别电路及双向数据/信号线提供稳健瞬态保护的场合，是成本与性能兼顾的常用保护器件。若需封装尺寸、回流曲线、典型 V-I 曲线等更详细资料，可参考 BORN 官方数据手册或联系供应商获取样片测试。