BNLESD5D5.0CT1G 产品概述

一、简介

BNLESD5D5.0CT1G 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款单路双向瞬态电压抑制器（TVS），以 SOD-523 超小封装实现对敏感信号线和接口的静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）及雷击浪涌（Surge）保护。器件针对 5V 工作环境优化，兼顾低电容与高冲击能量吸收能力，适用于空间受限且对信号完整性有要求的消费电子和工业产品。

二、主要特性

• 钳位电压（Vcl）：15V（典型，8/20µs 波形下）
• 击穿电压（Vbr）：9.5V
• 反向截止电压（Vrwm）：5V（适用于 5V 系统）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：120W @ 8/20µs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8A @ 8/20µs
• 结电容（Cj）：18pF（低电容设计，减小对高速信号的影响）
• 反向漏电流（Ir）：≤500nA（典型低漏电，利于低功耗系统）
• 通道数：单路，极性：双向
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 标准
• 封装：SOD-523，适合自动贴装与高密度 PCB 布局

三、典型应用场景

• USB / UART / I2C / SPI 等 5V 或双向信号接口的防护
• 智能手机周边、可穿戴设备、蓝牙模块等便携式设备
• 工业控制、传感器接口、测量仪表中的输入输出保护
• 汽车车载娱乐与通信系统的信号线防护（需结合系统级防护方案）
• 任何要求小封装、低电容且抗 ESD/EFT 的应用场合

四、设计与布局建议

• 器件应尽可能靠近受保护的连线或接口放置，减小引线与走线的寄生电感。
• 对于双向信号（如差分对），每条线可配备单只 TVS 或根据系统结构选择成对布局。
• 在高重复能量或更强浪涌场景下，建议与输入端熔断、限流电阻或多级保护器件配合使用，以提升系统可靠性。
• SOD-523 为小型封装，焊盘与散热层应按照厂方 PCB 推荐图设计，以保证热耗散与机械可靠性。

五、可靠性与合规

BNLESD5D5.0CT1G 已通过 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变）及 IEC 61000-4-5（浪涌）相关测试等级验证，能在常见的静电与瞬态冲击事件下为电路提供有效保护。低漏电流与较小结电容使其在对功耗与信号完整性敏感的应用中表现良好。

六、选型与采购建议

选择本型号时，如系统为 5V 工作电压且要求双向保护、空间受限且需兼顾信号完整性，BNLESD5D5.0CT1G 是合适的候选。封装为 SOD-523，适配自动贴片生产。订购与替代时，请参考完整数据手册确认电气极限、最大工作温度范围及包装信息，必要时与供应商沟通样片与可靠性测试数据。

如需我为您的具体电路推荐 PCB 布局或对比其它同类 TVS 参数（例如更低电容或更高浪涌能力的器件），可提供系统工作电压与接口类型，我将给出更针对性的建议。