型号:

ES1DW

品牌:晶导微电子
封装:SOD-123F
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
ES1DW 产品实物图片
ES1DW 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1V@1A 200V 1A
库存数量
库存:
12921
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.035
3000+
0.0278
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1V@1A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流1A
反向电流(Ir)5uA@200V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

ES1DW 产品概述 — 晶导微电子

一、产品简介

ES1DW 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复/高效率整流二极管,面向通用整流和开关电源应用。器件采用 SOD-123F 小型表面贴装封装,兼顾高速恢复特性与较低正向压降,适用于体积受限且对开关损耗敏感的电源电路。

二、主要特点

  • 独立式单个二极管设计,便于并联或单独使用。
  • 快恢复特性,反向恢复时间 Trr ≈ 35 ns,有利于降低开关损耗和系统电磁干扰。
  • 低正向压降:Vf = 1.0 V @ 1 A,减小导通损耗,提高效率。
  • 额定整流电流:1 A,满足一般小功率整流需求。
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 30 A,具备一定的冲击承受能力。
  • 反向耐压 Vr = 200 V,反向电流 Ir = 5 μA @ 200 V,适合中压直流/开关电源前端整流。

三、电气性能(典型/额定值)

  • 型号:ES1DW(晶导微电子)
  • 封装:SOD-123F(表面贴装)
  • 正向压降:1.0 V @ IF = 1 A
  • 最大整流电流:IRRM(整流电流) = 1 A(连续)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 30 A(单次冲击)
  • 直流反向耐压:Vr = 200 V
  • 反向电流:Ir = 5 μA @ 200 V
  • 反向恢复时间:Trr = 35 ns
  • 工作结温范围:Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃

(注:以上数值为典型/额定测试条件下所得,实际使用请参照完整数据手册和应用条件进行热和电流散热评估。)

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流或回收路径
  • 适配器、充电器、消费类电子电源整流
  • 电机驱动及电源滤波电路中的高频整流
  • 逆变器、太阳能微型逆变模块的中低功率整流段
  • 任何需兼顾快速恢复与较低正向压降的通用整流场景

五、封装与热管理

SOD-123F 封装体积小、适合自动贴装,但因体积限制器件的散热能力有限。设计 PCB 布局时建议:

  • 在焊盘背面或附近增加铜箔面积以提升散热;
  • 对于接近额定电流工作,考虑使用热过孔或连接到散热层;
  • 在高脉冲或高浪涌应用中评估瞬态温升,必要时并联或选用更高规格器件。

六、使用与储存注意事项

  • 焊接建议遵循器件的回流焊温度限制和曲线(参考完整数据手册)。
  • 防静电、防潮包装储存;开封后如为贴片盘,建议在规定时间内回流焊接完成。
  • 在高温、高湿或强振动环境下,应根据应用做可靠性评估。

如需完整的电气特性曲线、热阻、焊接曲线和封装尺寸图,请联系晶导微电子索取完整数据手册或技术支持。