BAS70WS 产品概述

一、产品简介

BAS70WS 是 CJ（江苏长电/长晶）生产的一款肖特基（Schottky）二极管，采用紧凑型 SOD-323 封装，面向小信号整流与高频快速开关场合。该器件具有低正向压降、较高反向耐压和低静态反向漏电的特点，适合体积受限且要求响应速度快的电子系统。

二、主要参数

• 正向压降 (Vf)：1.0 V @ 15 mA
• 直流反向耐压 (Vr)：70 V
• 额定整流电流 (If)：70 mA（连续）
• 反向漏电流 (Ir)：100 nA @ 50 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：100 mA（单次浪涌）
• 封装：SOD-323
  以上参数为典型/额定值，具体设计请参考厂方完整数据手册。

三、主要特性与优势

• 低静态漏电：在 50 V 条件下反向漏电仅为 100 nA，适合对待机功耗敏感的电路。
• 较高耐压：70 V 的反向耐压使其可用于中低压保护、反向隔离或整流场合。
• 小体积封装：SOD-323 有利于高密度贴装和空间受限的应用。
• 快速响应：肖特基结固有的低储能效应，适合高频开关与快速整流场景。
• 合理的连续与浪涌电流能力，满足一般小信号整流与保护需求。

四、典型应用场景

• 高速开关与逻辑电平隔离：作为电平移位或快速钳位元件。
• 小电流整流与反向保护：便携设备、传感器前端与电池保护电路。
• 高频混频与检波器：在射频与中频电路中用于检波或偏置隔离（需注意 Vf 与频率耦合影响）。
• 输入浪涌/反向保护和钳位电路：用于抑制瞬态反向或避免反接损坏。

五、使用与选型注意事项

• 正向压降：标称 1 V @15mA，相比某些低 Vf 肖特基器件略高，若需在超低电压降下工作（如几毫安级或亚伏级），建议评估 Vf 对电路效率的影响。
• 温度相关特性：反向漏电和 Vf 会随温度上升而变化。高温环境下需预留余量并进行温度仿真或试验。
• 功耗与散热：SOD-323 封装散热受限，连续70 mA 工作时请评估结温与热阻，必要时采用 PCB 铜箔散热优化或降低工作电流。
• 浪涌能力：Ifsm 为 100 mA（非重复峰值），不宜用于频繁大电流冲击的场合。
• 封装与极性识别：安装时注意极性，SOD-323 常用极性标识为端面或缝隙，具体以生产厂商标识为准。

六、封装与可靠性建议

• 焊接工艺：遵循厂家推荐的回流焊温度曲线与热剖面，避免超过封装和内芯材料的热极限。
• 存储与防潮：遵循 MSL 等级和厂方封装说明，湿敏元件在回流前建议进行适当烘烤。
• ESD 防护：肖特基二极管结敏感度较高，装配与测试应做好静电防护措施。
• 质量验证：用于关键应用前，建议做寿命试验、温度循环和电气老化验证。

七、典型电路示例（简述）

• 反向保护：二极管串联于电源输入，阻止反接电压对负载的损害。
• 快速钳位：并联在敏感节点，钳制正向冲击或过压瞬变。
• 检波电路：与匹配负载一起作为高频检测元件，需考虑 Vf 对灵敏度的影响。

总结：BAS70WS 以其 70 V 耐压、低泄漏、SOD-323 小体积封装和适度的电流能力，适合消费电子、便携设备及高密度电路中作为小信号整流、隔离与保护元件。选择与应用时应关注工作温度、热管理及回流焊工艺，必要时参考厂家完整数据手册以获得详细电气与机械参数。