型号:

CRSD130N10L2

品牌:CRMICRO(华润微)
封装:TO-252
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
CRSD130N10L2 产品实物图片
CRSD130N10L2 一小时发货
描述:场效应晶体管(FET) CRSD130N10L2
库存数量
库存:
8
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.02
2500+
0.958
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)101.2W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)2.427nF@50V
反向传输电容(Crss)44pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

CRSD130N10L2 产品概述

一、产品简介

CRSD130N10L2 是华润微(CRMICRO)推出的一款100V 片上单N沟道功率场效应管,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,设计用于高电流、高效率的开关应用。器件额定工作温度范围宽(-55℃至+150℃),适合工业和车规等严苛环境。

二、主要电气参数

  • 漏源电压 Vdss:100V
  • 连续漏极电流 Id:65A
  • 导通电阻 RDS(on):11 mΩ @ Vgs = 10V, Id = 50A
  • 阈值电压 Vgs(th):1.4V
  • 栅极总电荷 Qg:42 nC @ Vgs = 10V
  • 输入电容 Ciss:2.427 nF @ 50V
  • 反向传输电容 Crss:44 pF @ 50V
  • 功率耗散 Pd:101.2 W(参考值,实际受封装与PCB散热影响)

三、驱动与开关性能建议

  • 为获得标称低 RDS(on),建议栅极驱动电压为 10–12V;尽管 Vgs(th) 为 1.4V,但在逻辑电平驱动(5V)下的导通电阻会增大。
  • Qg = 42 nC 表明器件在高开关频率时对栅极驱动器有较大瞬态要求。驱动器平均功耗可按 Pdrive = Qg·Vdrive·fs 估算;例如在 200 kHz、Vdrive=10V 时大约为 0.084 W。为控制开关过渡,建议串联栅阻 2–10 Ω,必要时并联米勒钳位或RC缓冲。
  • Crss 相对较小,有利于减小米勒效应,但 Ciss 较大会令 dV/dt 对驱动能力敏感。

四、热管理与封装注意

  • TO-252 为中小功率表面贴装封装,Pd 标称值需结合 PCB 散热计算。实际散热依赖于焊盘面积、背铜和过孔。
  • 建议在电源回路处使用大面积铜箔、多层散热层和热过孔,必要时与外部散热体或散热片配合使用,以保证结温在安全范围内并延长寿命。

五、典型应用

  • 100V 级同步降压芯片中的功率开关
  • 开关电源(SMPS)、车载 DC-DC、车灯驱动
  • 马达驱动、功率转换和功率因数校正(PFC)前端模块
  • 需要高导通电流与中等开关频率的应用场景

六、布局与可靠性建议

  • 最小化电流回路环路面积,靠近电源电容与器件布置,降低寄生电感引起的振铃与过冲。
  • 在高 dv/dt 场合注意布线与地回路,必要时增加栅源肖特基或瞬态抑制元件保护。
  • 遵循焊接与回流工艺规范,避免超出器件温度极限。器件在高温工作时需充分考虑长期电迁移与热循环影响。

七、总结

CRSD130N10L2 以其 100V 电压等级、低至 11 mΩ 的导通电阻和较大的连续电流能力,适合对效率和导通损耗有较高要求的功率转换场合。选型时应综合考虑栅极驱动能力、开关频率与PCB散热设计,才能发挥该器件的最佳性能。