CRSD082N10L2 产品概述

一、产品简介

CRSD082N10L2 是华润微（CRMICRO）推出的一款高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），单只（数量：1 个），适用于中高压功率开关场合。器件限定工作温度范围为 -55℃ 到 +150℃，封装为常见的 TO-252（DPAK），便于表面贴装与散热处理。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：100 V
• 连续漏极电流 Id：78 A
• 导通电阻 RDS(on)：7.2 mΩ @ Vgs=10 V, Id=78 A
• 栅极阈值电压 Vgs(th)：1.4 V（典型）
• 栅极总电荷 Qg：44.5 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：2.626 nF @ 50 V
• 反向传输电容 Crss：38 pF @ 50 V
• 功率耗散 Pd：101 W
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、性能特点

• 低导通阻抗：7.2 mΩ 的低 RDS(on) 在 10 V 驱动下能够显著降低导通损耗，适合高电流应用。
• 宽电压和电流能力：100 V 的耐压配合 78 A 的连续电流能力，适用于较高电压轨与大电流负载。
• 中等栅极电荷：Qg=44.5 nC 表明需要合理的栅极驱动能力以实现快速开关，否则开关损耗和开通/关断时间将受限。
• 电容特性：Ciss 与 Crss 数据有助于评估开关瞬态与米勒效应对电路的影响，便于驱动与 EMI 设计。

四、典型应用场景

• DC-DC 升降压变换器与同步整流器
• 开关电源（SMPS）主开关或同步 MOSFET
• 电机驱动与逆变器前端开关
• 电池管理与供电保护电路（需按具体认证要求评估）
• 工业电源与通信设备的功率级

五、使用建议与注意事项

• 推荐栅极驱动电压：为达到标称 RDS(on)，建议采用 10 V 驱动。若使用逻辑电平驱动需验证实际导通损耗。
• 栅极驱动设计：由于 Qg 较大，推荐使用具备足够电流能力的驱动器，并在栅极并联适当阻尼电阻以控制振铃与 EMI。
• 热管理：Pd 标称 101 W 表明器件热耗散依赖良好的散热路径；在 TO-252 封装下应优化 PCB 散热铜箔、过孔或外接散热片以避免过热并保证长期可靠性。
• 布局建议：最小化漏-源回流路径的寄生电感，优化电流回路，靠近电源和地进行去耦，注意米勒电容导致的开关瞬态。
• ESD 与可靠性：按工业静电防护规范处理，存储与焊接遵循厂商建议的回流曲线与防潮等级。

六、封装与订购信息

封装：TO-252（DPAK），便于表面贴装与中等功率散热。型号：CRSD082N10L2，品牌：CRMICRO（华润微）。单件包装数量为 1 个，订购时请根据实际需求确认包装形式与出货规格。

七、总结

CRSD082N10L2 是一款在 100 V/78 A 级别具有低导通阻抗和良好热能力的 N 沟道 MOSFET，适合要求较高电流与较高开关性能的功率电路。合理的栅极驱动与热设计是发挥其优越性与确保可靠性的关键。若需用于特殊应用（如汽车等级或高频高温环境），建议结合完整数据手册与可靠性测试结果进一步确认。