HG24LC32M/TR 产品概述

一、产品简介

HG24LC32M/TR 是华冠（HGSEMI）推出的一款低压、低功耗 I2C 串行 EEPROM，存储容量为 32Kbit（4K 字节）。器件支持宽电压范围 1.7V 至 5.5V，工作温度覆盖工业级 -40℃ 至 +85℃，适合对数据长期保存与频繁读写有要求的嵌入式系统与工业设备。

二、主要规格

• 存储容量：32 Kbit（4 KByte）
• 接口类型：I2C（支持最高时钟频率 fc = 1 MHz）
• 工作电压：1.7 V ～ 5.5 V
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 数据保持时间（TDR）：100 年
• 写循环寿命：1,000,000 次
• 单次写操作时间（Tw）：约 5 ms
• 封装形式：SOP-8
• 品牌型号：HG24LC32M/TR（华冠）

三、关键特性与优势

• 宽电压工作范围（1.7V～5.5V），便于与多种微处理器和传感器直接连接，无需额外电平转换。
• 支持高达 1 MHz 的 I2C 时钟速率，兼容 Fast-mode Plus，提升串行读写吞吐量。
• 优异的数据保持能力（100 年）和高写入耐久性（100 万次），满足长期保存与频繁写入的需求。
• SOP-8 小封装，利于批量生产和空间受限的系统集成。
• 单次写入时间短（约 5 ms），在系统更新配置或日志记录时响应快。

四、典型应用场景

• 工业控制器与自动化设备：参数配置、校准数据、故障记录保存。
• 医疗仪器与手持设备：设备标识、配置存储与非易失性日志。
• 消费电子与家电：设置记忆、用户偏好保存。
• 通讯与测量模块：固件小段数据缓存、校正系数存储。

五、设计注意事项

• I2C 总线需配合适的上拉电阻，避免在高速 1 MHz 工作时出现信号完整性问题；上拉阻值应根据系统总线负载和电压选型。
• 单次写入时间约为 5 ms，连续写入时建议遵循写周期和写保护机制，以避免写冲突或数据损坏。
• 虽然器件具备高写入寿命，若应用存在极高频率写操作，建议采用写均衡、缓存或外部控制策略以延长系统寿命。
• 供电与地线布局需注意去耦，尤其在工业环境下加强抗干扰设计，确保数据可靠性。
• 采用 SOP-8 封装时关注焊接工艺和热循环可靠性，符合 PCB 制造标准。

六、封装与可靠性

HG24LC32M/TR 提供标准 SOP-8 封装，便于现有 PCB 布局替换和自动化贴装。产品面向工业温度范围，并经过耐久性与数据保持测试，适合长期部署的嵌入式系统应用。

总结：HG24LC32M/TR 是一款性能稳健、兼容性强的 32Kbit I2C EEPROM，凭借宽电压、长数据保持以及高写入寿命，适用于多种需要可靠非易失性存储的应用场景。在系统设计时注意总线匹配与写入策略，可充分发挥器件的可靠性与寿命优势。