型号:

DTC114WCA

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:0.036g
其他:
DTC114WCA 产品实物图片
DTC114WCA 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
库存数量
库存:
5618
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.064044
3000+
0.050868
产品参数
属性参数值
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)24
最小输入电压(VI(on))3V@2mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))800mV@0.1mA,5V
输出电压(VO(on))300mV@10mA,0.5mA
输入电阻13kΩ
电阻比率0.57
工作温度-40℃~+150℃
特征频率(fT)250MHz

DTC114WCA 产品概述

一 特性概览

DTC114WCA 是一款预偏置(预驱动)NPN 数字晶体管,SOT-23 封装,适用于逻辑直接驱动和通用开关应用。器件具有集电极电流 Ic 最大 100mA、集-射极击穿电压 Vceo 50V、总耗散功率 Pd 200mW、工作温度范围 -40℃ 至 +150℃。内部集成基极限流电阻(输入电阻约 13kΩ),便于直接与 MCU 或逻辑门驱动。

二 电气性能要点

  • 直流电流增益 hFE:典型 24(条件 10mA、VCE=5V)。
  • 导通输出电压 VO(on):典型 300mV(Ic=10mA);在更小电流(0.5mA)时仍有低导通压降表现。
  • 输入阈值:典型导通电压约 0.3V,关闭时最大输入电压约 0.8V(具体条件见数据表)。
  • 内部阻抗比/偏置:电阻比率约 0.57(内部偏置网络相关参数)。
    以上参数为典型或典型条件下的表现,实际设计请参考完整数据手册。

三 典型应用场景

  • MCU 及逻辑电平直接驱动:用于继电器、小电机、指示灯和中小功率负载的开关控制。
  • 电平转换与接口缓冲:在 3.3V/5V 系统中作为上拉/下拉驱动元件。
  • 通用开关阵列和板载保护电路:利用预偏置特性简化外围电阻设计。

四 设计与选型建议

  • 当负载电流接近 100mA 时,应考虑散热及 Pd 限制,SOT-23 封装的功耗能力有限;频繁开关或高占空比时应留足裕量或改用更大封装器件。
  • 若需要更高 hFE 或更低 VO(on),建议核对数据表中不同测量点的增益曲线并在实际工况下测试。
  • 输入端直接连接 MCU 时,内部 13kΩ 限流电阻已经提供基本保护,但建议在有强电干扰或长线时增加额外阻抗或滤波。

五 封装与可靠性

DTC114WCA 采用 SOT-23 小型封装,便于表贴组装与高密度 PCB 布局。工作温度范围宽(-40℃ 至 +150℃),适用于工业级环境。为保证可靠性,应注意回流焊曲线合规以及存储/运输静电防护。

六 使用注意事项

  • 在设计原理图与 PCB 时标注正确的管脚方向并考虑散热过孔或铜箔加大集电极散热路径。
  • 对于精确开关时序或低电压微弱信号驱动,建议在样片验证阶段测量实际 VO(on)、hFE 与开关延时。
  • 如需并联使用或与其他器件级联,应评估偏置网络互相影响,必要时采用外部基极电阻进行分流与保护。

以上为基于器件关键参数的概述与设计提示,建议在最终设计前参考厂商完整数据手册与典型应用电路以获得更详尽的规格与测试条件。