GAQY215G1S 产品概述

GAQY215G1S 是 SUPSiC（国晶微半导体）推出的一款高隔离、低导通电阻的固态继电器/光耦MOSFET型器件。该器件集成了输入光电隔离与输出MOSFET开关，适用于需要电气隔离、低损耗直流或脉冲开关控制的场合。器件封装为 SOP-4（175 mil，2.54 mm 间距），工作温度范围宽，便于在工业和消费类电子中应用。

一、产品简介

GAQY215G1S 为单刀单掷常开（SPST‑NO, 1 Form A）输出结构，输入支持 AC 与 DC 驱动，内部输入通常采用抗极性结构以兼容双向输入（具体请以芯片数据手册为准）。器件输出由低导通电阻 MOSFET 实现，适合在最高 100 V 负载电压下以 1.25 A 连续电流工作，且开关过程具有明确的导通/关断时间特性，便于系统级开关控制与时序设计。

二、主要规格参数

• 隔离电压（Vrms）：2.5 kV
• 触点形式：SPST‑NO（1 Form A）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 正向压降（Vf）：1.2 V（典型，输入）
• 正向电流（If）：7 mA（推荐驱动或典型激励）
• 总功耗（Pd）：400 mW（器件最大耗散）
• 截止时间（Toff）：60 μs
• 导通时间（Ton）：1 ms
• 输入类型：AC、DC
• 连续负载电流：1.25 A
• 导通电阻（Rds(on)）：130 mΩ
• 负载电压（输出耐压）：100 V
• 封装：SOP‑4‑175mil‑2.54mm
• 品牌：SUPSiC（国晶微半导体）

三、关键性能特点

• 高隔离能力：2.5 kVrms 隔离等级适合信号隔离与低中压隔离要求的系统，提升安全与抗干扰能力。
• 低导通损耗：130 mΩ 的导通电阻在 1.25 A 工作点时，导通功耗约为 0.20 W（I^2R），对电源效率和热预算友好。
• 宽温区稳定：-40 ℃ 至 +85 ℃ 的工作温度覆盖多数工业与商业环境。
• 支持 AC 与 DC 输入：输入端兼容交流与直流驱动（使用前请核对具体极性和连接方式），设计上更灵活。
• 快速关断、可控开启：60 μs 的关断响应适合多数开关场景；1 ms 的导通上升相对较慢，适合软启动或避免瞬态冲击的场合，但在高频 PWM 应用中需注意其开通限制。

四、典型应用场景

• MCU/逻辑侧到功率侧的电气隔离开关（继电器替代）
• 工业控制与自动化输入/输出隔离
• 电池管理系统中的安全断开或保护电路
• 家电及消费类产品中小电流开关控制（继电器替代以延长寿命）
• 测试测量设备、通信设备中的信号隔离与低损耗开关

五、封装与引脚（说明）

器件采用 SOP‑4（175 mil，2.54 mm）封装，四引脚常见分配为两脚输入（LED）和两脚输出（MOSFET 的源/漏）。在布局布板时应合理安排输入/输出的爬电/间隙距离以满足 2.5 kVrms 的隔离要求。具体引脚顺序与功能请参考官方数据手册以确认接线细节。

六、使用注意事项与设计建议

• 输入驱动：按 If=7 mA 设计输入限流电阻。例如在 5 V 驱动时，R ≈ (5.0 − 1.2) / 7 mA ≈ 560 Ω；在 12 V 驱动时，R ≈ (12.0 − 1.2) / 7 mA ≈ 1.5 kΩ。若以 AC 驱动，请使用合适的防反向电路或确认器件内部为双向输入结构。
• 热管理：器件总功耗上限为 400 mW，计算导通损耗：P_on ≈ I^2 × Rds(on) ≈ 1.25^2 × 0.13 ≈ 0.20 W，留有余量考虑环境温度与封装散热限制。建议在高环境温度或长期较大电流工作时采取散热或限制占空比。
• 开关频率：器件的导通时间 1 ms 比较长，适用于低频开关或脉冲少的场合；若需快速开关或高频 PWM，应评估器件的开关能否满足系统要求。
• 安全规范：在涉及高压和安全隔离的应用中，布局需满足相应的安全标准（爬电距离、间隙、固体绝缘等），并参考官方认证信息。
• 可靠性验证：在量产前进行温度升高、寿命、抗浪涌等可靠性测试，确保在目标工况下性能稳定。

若需更详细的引脚图、热阻与典型应用电路建议，请提供需要的应用场景或索取 SUPSiC 官方数据手册，我可以基于具体应用给出更精确的设计计算与 PCB 布局建议。