CESD12VD3 产品概述

CESD12VD3 是 CJ（江苏长电/长晶）推出的一款单路单向 ESD 抑制二极管，封装为 SOD-323，针对工业与消费类接口的静电放电保护而设计。器件在 IEC 61000-4-2 标准下具有良好的防护能力，适用于对空间和成本敏感的板级防护方案。

一、主要特性

• 类型：单路、单向 ESD TVS 二极管（ESD）
• 钳位电压（典型）：24 V
• 击穿电压（Vbr）：16.5 V
• 反向截止电压（Vrwm）：12 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：220 W（8/20 µs）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：9 A（8/20 µs）
• 反向漏电流（Ir）：1 µA
• 结电容（Cj）：45 pF
• 通道数：单路
• 极性：单向
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2
• 封装：SOD-323（小体积，适合高密度 PCB 布局）

二、电气参数解读

Vrwm = 12 V 表明器件在最大工作电压下处于截止状态，适合 12 V 及以下的信号线或电源保护。Vbr=16.5 V 为击穿区起始电压，通常高于工作电压以避免误触发；钳位电压 24 V 是在标准 8/20 µs 测试波形下的保护电压，决定被保护线路在瞬态事件中的最大承受电压。Cj=45 pF 对高速信号（如 USB、GPIO）会有一定影响，选用时需权衡带宽要求。

三、典型应用场景

• 手机配件、穿戴设备的 I/O 接口保护
• 工业控制器的信号线与按键输入防护
• 串口、USB、音频等低压数据线的静电防护
• 高密度电路板的局部浪涌、ESD 缓冲

四、选型与使用建议

• 若保护线工作电压接近或高于 12 V，应选择 Vrwm 更高的型号以避免持续漏流或误动作。
• 对高速差分信号或射频路径，注意结电容对信号完整性的影响；Cj=45 pF 适合一般低速或单端信号，但不推荐用于高速差分链路的主保护器件。
• 单向器件适用于有明确地/参考方向的线路（如电源线或单向数据线）；双向保护可选双向 TVS。

五、PCB 布局与可靠性要点

• 尽量靠近受保护的接插件或信号源放置 TVS，以缩短寄生引线感抗，提升抑制性能。
• 将 TVS 的接地端直接焊接到一块低阻抗、低感抗的参考地或电源地，避免通过长走线回流。
• 在高能量冲击下，关注封装 SOD-323 的焊点和基板热膨胀；评估焊接工艺对可靠性的影响。
• 常规可靠性测试：ESD 按 IEC 61000-4-2 级别测试，建议在设计验证阶段做多次冲击循环验证。

六、典型接法

• 单向保护：阳极接地，阴极接至被保护信号线；在正向（受压）事件中 clamp 至低压，反向承受正常工作电压。
• 可与串联电阻或滤波器配合使用，提高整体抗浪涌能量能力并改善带宽特性。

总结：CESD12VD3 以小封装、高峰值功率和低漏电为特点，适合对 PCB 空间有限且需符合 IEC 61000-4-2 的一般电路保护场合。在实际应用中，请结合工作电压、信号速率和系统可靠性要求评估是否满足系统保护需求。