PNM723T201E0 产品概述

一、简介

PNM723T201E0 是 Prisemi（芯导）推出的一款小型化 N 沟道增强型 MOSFET，面向超小型、低功耗开关应用。器件额定漏源电压为 20V，单个元件标称连续漏极电流可达 1A，封装为极小的 SOT-723，适合空间受限的便携式和移动电子产品。

二、主要性能参数

• 数量：1 个 N 沟道
• 漏源电压 (Vdss)：20 V
• 连续漏极电流 (Id)：1 A
• 导通电阻 RDS(on)：450 mΩ @ Vgs = 1.8 V（测试电流 250 mA）
• 功耗耗散 (Pd)：140 mW
• 阈值电压 Vgs(th)：1.1 V @ 1 mA
• 输入电容 Ciss：30 pF
• 反向传输电容 Crss：13 pF
• 输出电容 Coss：13 pF
• 封装：SOT-723（超小型）

这些参数表明器件为低电容、低门极驱动电压即可导通的微功率开关器件，适合对封装尺寸和静态功耗有严格要求的场合。

三、典型应用场景

• 便携式与电池供电设备中的低电流负载开关（如传感器电源、外围模拟电路）
• 快速开关与逻辑电平转换（二极管替代、低侧开关）
• 移动通信与物联网终端的电源管理与负载隔离
• 考虑到器件小电容特性，也适用于要求较快切换但电流较小的脉冲场合

四、使用与布局注意事项

• SOT-723 封装热阻较大，推荐在 PCB 设计中尽量增大铜箔面积并使用较短粗的走线以降低导线寄生电阻与提升散热。
• 对于开关速率和稳定性，建议在门极与驱动器之间串联适当阻值的门极电阻（几十欧姆量级），以抑制振铃与过冲。
• 由于 RDS(on) 在 Vgs=1.8V 下测得为 450 mΩ（250 mA），当驱动电压低于或高于该条件时，器件的导通电阻会相应变化，系统设计应考虑最坏情况的损耗。
• 输出与输入电容（Coss、Ciss、Crss）较小，门极驱动功耗低，便于采用低能耗驱动电路。

五、热与电流能力说明

• 标称连续漏极电流为 1A，但器件额定耗散功率仅 140 mW，结合 RDS(on) 实际功耗 P = I^2·RDS(on)（例如 1A 时若按 0.45Ω 计算则约 0.45 W），远超器件耗散能力。因此在实际应用中不建议长期在接近 1A 的电流下工作，通常应限制平均电流并提高散热条件或采用并联/更大封装器件。
• 对于短脉冲或间歇性负载，保证平均功耗在 Pd 范围内并注意器件结温限制，可获得可靠工作。请在具体电流与频率条件下核算结温并参考厂方完整热特性曲线。

六、封装与订购信息

• 品牌：Prisemi（芯导）
• 型号：PNM723T201E0
• 封装：SOT-723（超小型表贴）
• 该型号适合空间受限且对静态功耗与驱动电压有严格控制的电路。订购时请参考厂家样片与完整数据手册，确认在目标工作点（Vgs、Id、频率、环境温度）下的性能与可靠性。

备注：在设计前务必查阅最新器件数据手册与封装图，并在样机验证中关注温升与功耗分布，确保长期可靠。