PTVSLC3D3V3B 产品概述

一、产品简介

PTVSLC3D3V3B 是由 Prisemi（芯导）推出的一款双向瞬态电压抑制器（TVS），采用 SOD-323 小型封装，专为对 3.3V 工作电压系统的浪涌与静电防护设计。该器件具备低结电容、低泄漏电流与高峰值脉冲功率能力，适合空间受限且要求高速信号完整性的保护方案。

二、主要参数与性能特点

• 极性：双向（适合无直流偏置或需双向保护的信号线）
• 反向截止电压 Vrwm：3.3V
• 钳位电压（典型值）：21V（在 8/20μs 浪涌波形下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：20A @ 8/20μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：350W @ 8/20μs
• 击穿电压 Vbr：4V（典型）
• 反向电流 Ir：1μA（低泄漏，减小对电路静态偏置的影响）
• 结电容 Cj：3.5pF（低电容，利于高速信号传输）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-4（EFT）和 IEC 61000-4-2（ESD）规范
• 封装：SOD-323（小型化，适合表面贴装）

以上参数中的浪涌能力与钳位特性以标准 8/20μs 浪涌波形为测量条件，适用于常见的瞬态过压试验与现场电磁干扰缓解。

三、典型应用场景

• 3.3V 数字接口与信号线的瞬态保护（如 MCU 引脚、I/O 口）
• 高速数据线与通讯端口（因为 Cj = 3.5pF，适合对信号完整性要求较高的应用）
• 移动设备、工业控制与一般电子终端的接口防护
• 外围器件与传感器连接线的静电与浪涌抑制
  （注：如用于汽车关键安全系统，请根据系统级认证要求核实器件资格）

四、应用与布局建议

• 布局位置：将 PTVSLC3D3V3B 尽可能靠近受保护的连接器或接口布置，缩短从受保护节点到 TVS 的走线长度，可显著降低串联感抗与寄生电感带来的钳位性能下降。
• 接地处理：为保证快速能量传导，地线应采用低阻抗回流路径，必要时在靠近器件位置布置多条过孔连通底层地平面。
• 与信号元件关系：在高速信号线上使用时，注意 TVS 与差分对或单端信号的对称布局，避免不必要的阻抗扰动。由于器件为双向结构，可直接并联在被保护线与地之间以抑制正负极性的瞬态。
• 并联使用：若单芯片保护能力不足，可并联多个 TVS 器件分摊能量，但需考虑匹配与热散布问题。
• 禁止串联：TVS 不应串联放置于信号路径内，否则会影响信号传输与响应时间。

五、可靠性与环境适应

PTVSLC3D3V3B 工作温度覆盖 -55℃ 至 +150℃，适合宽温范围应用。器件通过 IEC 61000-4-2（静电放电）与 IEC 61000-4-4（电快速瞬变）防护要求，能在典型工业与民用环境下提供有效防护。实际系统设计中建议进行系统级的浪涌/ESD 测试验证，以保证整体防护效果。

六、封装与焊接

SOD-323 小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。建议按照常规回流焊工艺进行贴装，遵循无铅回流温度曲线和厂方推荐的封装处理规范以确保焊接可靠性。存储与处理时注意防潮等级与静电防护。

七、选型建议与注意事项

• 选择双向型 TVS 时，确认被保护节点是否存在双向电压摆幅（无直流偏置或会出现负电压），否则单向 TVS 可能更合适。
• 对于对信号完整性要求极高的差分高速接口（如高速以太网、USB3.x 等），需综合考量结电容、串扰与插入损耗；PTVSLC3D3V3B 的 3.5pF 结电容适合多数低中速及部分高速应用。
• 测试时请采用标准 8/20μs 浪涌与 IEC ESD 波形验证钳位与残压能力，确定在目标应用下的余量。

如需进一步的电气特性曲线、封装尺寸图或可靠性数据，可联系供应商或参考 Prisemi 芯导 的技术资料以获取器件详细规范与应用手册。