MX608E 产品概述

一 基本特性

MX608E（Mixic 中科芯亿达）是一款面向小型直流电机驱动的集成电路，内置功率场效应管（Integrated FET），封装为 SO‑8。工作电压范围 1.8V ～ 5V，工作温度 -20℃ ～ +85℃。器件可承受峰值电流 1.5A，静态工作电流（Iq）仅 133µA，导通电阻 Rds(on) 约 440mΩ，适合电池供电的便携与低功耗场景。

二 关键规格与工程意义

• 工作电压 1.8–5V：支持单节锂电池（3.3V 类）或 5V 系统直接驱动，便于系统电源设计。
• 峰值电流 1.5A：能承受短时冲击与启动浪涌，适合小型电机启动或负载瞬态。连续电流应按热耗散与温度降额评估。
• Rds(on)=440mΩ：导通损耗可通过 P=I^2·R 估算。举例：若连续电流 1A，单只导通 MOSFET 损耗约 0.44W；H 桥两只同时导通时总损耗接近 0.88W。峰值 1.5A 时单只损耗约 0.99W，需关注散热。
• Iq=133µA：静态电流低，适合待机省电要求高的便携设备。
• 封装 SO‑8：通用 DIP 表面贴装封装，便于 PCB 布局与量产。

三 典型应用场景

• 小型玩具/模型驱动；
• 手持/便携设备的微型减速电机；
• 摄像头云台、微型机械手臂、小型风扇与泵；
• 需低静态功耗和中短时高电流启动的电机控制场合。

四 设计与布局要点

• 去耦电容：建议靠近 VCC 引脚放置 0.1µF（陶瓷）与 4.7–10µF（低 ESR）并联，抑制瞬态电流与振铃。
• 电源保护：电机为感性负载，建议在电源线上并联 TVS 或慢速熔断器以防反向尖脉冲及短路。内部 FET 自带体二极管，但对持续回灌或大幅反电势，外部吸收器（RC 或 RCD）或 TVS 更可靠。
• PWM 控制：驱动支持 PWM 调速，PWM 频率可根据噪声与效率折中，常用 1–20kHz，避免可闻噪声。
• 布局：电流回路走线尽量短、粗，加大铜箔宽度；逻辑信号走小电流回路并靠近器件输入端以减少干扰耦合。

五 热管理与可靠性

• 依据 Rds(on) 与实际负载估算损耗并留足散热裕量；SO‑8 无裸露散热脚时需通过大面积铜箔与散热过孔带走热量。
• 在高环境温度（接近 +85℃）下，应对连续电流进行降额，以保证器件长期可靠性。
• 建议进行电机堵转、短路与长时间启动测试，验证热平台与 PCB 散热设计。

六 使用建议与注意事项

• 将峰值 1.5A 视为短时能力，避免长期在峰值下工作；设计中应给出最大连续电流限制或热保护。
• 对于高反电动势或工作于不稳定电源环境的系统，应加 TVS 与合适的滤波/吸收网络，保护内部 FET。
• 调试阶段建议使用示波器观察电源与 MOSFET 驱动节点波形，确认无过冲或高频振荡。
• 参考厂方数据手册（引脚功能与驱动逻辑）进行接线与上电顺序设计，确保控制信号电平与器件输入兼容。

总结：MX608E 以其集成 FET、低静态电流与宽供电范围，适合中小功率电机驱动与电池供电应用。合理的电源去耦、热管理与过压/回灌保护是保证长期稳定运行的关键。