ES1J 产品概述

一、产品概述与定位

ES1J 是一款由 CJ（江苏长电 / 长晶）出品的独立式快恢复整流二极管，面向需要高效率、低反向恢复损耗和中高压整流的通用场合。器件在 600V 反向耐压下，额定整流电流为 1A，具有较低的正向压降和较短的反向恢复时间，适用于开关电源、整流桥、逆变器和保护电路等多种应用。

主要基础参数（典型值）：

• 直流反向耐压 Vr：600V
• 正向压降 Vf：1.7V @ IF = 1A
• 额定整流电流 IF(AV)：1A
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30A
• 反向电流 IR：≈5 μA @ 600V
• 反向恢复时间 Trr：35 ns
• 工作结温范围 Tj：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SMAG（独立式）

二、主要性能特点

• 高电压承受能力：600V 反向耐压，适用于中高压整流与开关场景。
• 低正向压降：在 1A 工作点下 Vf 约为 1.7V，有利于降低导通功耗并提升整流效率。
• 快恢复性能：35ns 的反向恢复时间在快恢复类别中表现良好，能有效降低开关损耗与电磁干扰（EMI）问题。
• 低反向漏电：在高压下 IR 约为 5 μA，便于在高压应用中保持低静态功耗。
• 良好浪涌能力：30A 非重复峰值浪涌电流，能承受短时峰值应力（如充电或浪涌事件）。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）的输出整流和输入整流
• 功率因数校正（PFC）电路的补充整流
• 整流桥、单向整流和反向保护电路
• 逆变器、驱动电路和家电控制板的中高压整流
• 作为续流（freewheeling）/钳位二极管使用于感性负载的保护（需注意反向恢复对噪声的影响）

四、设计与使用建议

• 散热与电流散耗：尽管标称整流电流为 1A，但在实际电路中应考虑结温上升与散热条件，对连续电流进行适当降额（derating）。在高功率或连续工作场景下，应保证良好的散热路径和 PCB 铜箔面积，必要时使用散热片或多层铜箔打热孔。
• 快恢复特性注意事项：Trr = 35ns 属于快恢复范畴，在高速开关时能够减少开关损耗，但仍会产生一定的反向恢复电流峰值。在对 EMI 或开关应力敏感的场合，建议配合 RC 缓冲（snubber）或缓冲电感使用，或在拓扑上考虑软开关策略。
• 串联/并联使用：若需提高电压或电流能力，应谨慎设计串并联网络并加入均压电阻或热平衡措施，避免因不均衡导致过应力。
• PCB 布局：尽量缩短二极管承载高电流回路的走线，减小环路面积以降低 EMI。保持输入与输出旁路电容及二极管之间的连线尽量短，必要时在二极管附近放置旁路电容以抑制高频振荡。

五、可靠性与焊接/存储注意

• 工作温度范围广：-55℃ 至 +150℃ 的结温范围表明器件在恶劣环境下具有较好的适应性，但长时间靠近上限温度工作会影响寿命和电气参数，建议控制结温并进行合适的降额设计。
• 焊接与装配：在波峰焊或回流焊加工时，请遵循供应商 数据表中给出的焊接温度曲线与时间限制，避免超过推荐的焊接峰值温度和时间以保护器件性能。
• 存储与搬运：避免潮湿、高温或强腐蚀环境存放。若长期存放建议按照供应商包装和防潮要求处理，防止焊盘氧化或封装老化。

六、选型与采购建议

• 规格匹配：在选型时，应根据实际最大反向电压、连续和脉冲电流、允许结温及开关频率等参数综合判断，若应用频繁出现较大反向恢复能量或更高的效率要求，可考虑更低 Vf 或更短 Trr 的器件。
• 查询数据资料：建议在采购前向 CJ（江苏长电/长晶）索取或查阅 ES1J 的完整数据手册，确认封装机械尺寸（SMAG）、焊接条件、热阻值及典型性能曲线（Vf‑If、Ir‑Vr、Trr 曲线）以便在布局与热设计中精确使用。
• 包装与认证：根据生产需要确认包装形式（卷带、管装或散装）及放样、质量认证和长期供货稳定性。

上述信息基于器件典型参数与通用工程经验整理，如用于量产或关键设计，请参照制造商提供的最新数据手册和应用指南进行最终验证。