型号:

SBDD2045CT

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-252-2L
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
SBDD2045CT 产品实物图片
SBDD2045CT 一小时发货
描述:肖特基二极管 1对共阴极 590mV@10A 45V 20A
库存数量
库存:
2293
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.55296
2500+
0.5076
产品参数
属性参数值
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)590mV@10A
直流反向耐压(Vr)45V
整流电流20A
反向电流(Ir)10uA@45V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

SBDD2045CT 产品概述

一、产品简介

SBDD2045CT 是 CJ(江苏长电/长晶)推出的一款双肖特基二极管,采用 1 对共阴极(双芯片阴极并联)配置,集低正向压降与高浪涌能力于一体,封装为 TO-252-2L(俗称 DPAK)。该器件专为高效率开关电源、整流和反向保护场合设计,适用于需要在较高直流电流下保持低导通功耗的应用场景。

二、主要电气参数(关键数据)

  • 配置:1 对共阴极(双肖特基,阴极共连)
  • 正向压降:Vf = 590 mV @ If = 10 A
  • 整流电流(平均):Io = 20 A(封装与散热条件相关)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 150 A(单次峰值)
  • 直流反向耐压:Vr = 45 V
  • 反向电流:Ir = 10 μA @ Vr = 45 V
  • 封装:TO-252-2L(DPAK 表面贴装)

以上参数为器件典型或规定值,实际应用中需结合工作温度、散热条件和 PCB 布局进行合适的降额设计。

三、主要特性与优势

  • 低正向压降:10 A 条件下 Vf 约 0.59 V,显著降低导通损耗,提高电源转换效率。
  • 快速开关、无显著反向恢复:肖特基结构使开关损耗和 EMI 低于普通 PN 二极管,适合高频整流和同步整流替代。
  • 良好浪涌能力:Ifsm = 150 A,可承受开机或异常条件下的短时大电流冲击。
  • 低反向漏电:在额定反向电压下 Ir 仅 10 μA,可降低静态损耗与漏电影响,适合高效率与低待机功耗设计。
  • TO-252 封装:便于 PCB 表面贴装、热传导效率较好,适合中大电流应用。

四、典型应用场景

  • 开关电源输出整流(SMPS 输出二极管)
  • DC-DC 降压/升压转换器的续流/钳位二极管
  • 汽车电子与电源管理(符合 45 V 反向耐压的低压系统)
  • 电池充放电保护、UPS 与逆变器等需要大电流整流的场合
  • 太阳能逆变/MPPT 电路中低压侧整流与保护

五、封装与热管理建议

  • 封装为 TO-252-2L(DPAK),背面大焊盘用于传导热量至 PCB 铜箔,实际连续平均电流能力受 PCB 散热面积和铜厚影响显著。
  • 推荐在 PCB 上使用大面积散热铜箔和多层板与散热过孔(thermal vias)以提升热传导,必要时配合外置散热器或强制风冷。
  • 在靠近开关器件或功率轨的布局中,尽量缩短高电流走线并加宽走线,减小寄生电感,降低电压尖峰与 EMI。
  • 对于长期高电流工作,建议进行热仿真或实际温升测试,并按照器件结温限制进行电流降额,保证可靠性。

六、使用注意事项

  • 尽量避免超出 Ifsm 的重复浪涌操作;Ifsm 为非重复峰值浪涌电流,适用于单次冲击。
  • 在高温、高电流工况下,反向漏电和正向压降会随温度上升而变化,应留有足够的安全裕量。
  • 做波形测量时注意测试引线电感与布局带来的误差,肖特基器件对测试夹具和布局较为敏感。
  • 焊接时遵循封装热搅动限制,使用建议的回流曲线并注意避免过长时间高温暴露以防损伤。

七、购买与质量保证

SBDD2045CT 由 CJ(江苏长电/长晶)生产,品牌具备成熟的半导体封装与可靠性验证能力。购买时建议通过正规渠道获取带批号和质保的产品,并在设计阶段索取数据手册与可靠性报告以便进行整机可靠性评估。

八、总结

SBDD2045CT 是一款针对中大电流整流及高效率电源应用优化的双肖特基二极管,凭借 0.59 V(@10 A)低正向压降、150 A 峰值浪涌能力与 45 V 的反向耐压,能在多种电源和保护场合提供良好的性能表现。合理的 PCB 散热与布局是该器件发挥长期稳定性能的关键。若需更详细的电参数、SOA 曲线或封装引脚图,请参考厂家正式数据手册或联系 CJ 技术支持获取样品与测试资料。