型号:

ESD5341N-ES

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:DFN1006-2L
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
ESD5341N-ES 产品实物图片
ESD5341N-ES 一小时发货
描述:保护器件 1路单向ESD
库存数量
库存:
13164
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0503
10000+
0.0412
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
峰值脉冲功率(Ppp)60W@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.5pF

ESD5341N-ES 产品概述

一、产品简介

ESD5341N-ES 是 ElecSuper(静芯微)推出的一款单路单向瞬态电压抑制器,专为接口线上静电放电(ESD)和脉冲浪涌保护而设计。器件采用小型 DFN1006-2L 封装,占板面积小,适合手机、可穿戴、摄像头模组、USB/串口和高速数据接口等空间受限且对信号完整性要求高的应用场景。

二、主要特性

  • 单路、单向 ESD 保护器件,接口到地的快速夹位放电路径。
  • 钳位电压约 15V(视脉冲电流和测试条件而定),有效限制过压对下游电路的损伤。
  • 低结电容 Cj ≈ 0.5pF,最大限度降低对高速信号的影响,适合高速数据线保护。
  • 极低反向漏电流 Ir ≤ 1µA,适用于低功耗系统。
  • 符合 IEC 61000-4-2 ESD 等级测试要求。

三、电气参数(典型/最大值)

  • 反向截止电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压(Vbr):6V(典型)
  • 钳位电压(Vclamp):15V(典型)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:60W @ 8/20µs
  • 峰值脉冲电流 Ipp:4A
  • 反向电流 Ir:1µA(最大)
  • 结电容 Cj:0.5pF(典型)
  • 通道数:1 路,极性:单向
  • 封装:DFN1006-2L

四、典型应用

  • 手机和可穿戴设备的按键、天线和外设接口保护
  • USB、HDMI、MIPI、CSI、LVDS 等高速数据信号线的 ESD 保护
  • 摄像头模块、传感器输入、音频线路的入口保护
  • 工业控制和消费电子设备的 I/O 接口防护

五、封装与 PCB 布局建议

  • 器件采用 DFN1006-2L 小型封装,焊盘需尽量靠近被保护的连接器或接口,缩短走线以降低寄生感抗。
  • 将器件的接地端尽快与系统地面相连,建议在器件地焊盘附近放置短、粗的过孔(VIA)直通地平面,保证快速放电回路。
  • 在保护器件与被保护信号之间避免串联过长阻抗或滤波元件(除非有特殊设计需求),以确保 ESD 能迅速触发并泄放。
  • 在多层 PCB 上,推荐在器件下方保留接地铜皮并通过多条过孔连接,以减小回路电感。

六、可靠性与合规

ESD5341N-ES 设计满足 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰度要求,可承受典型的接触/空气放电事件(具体等级与测试条件请参考详细数据手册)。同时具备良好的热稳定性和小封装机械可靠性,适合大批量消费类产品应用。

七、选型建议与注意事项

  • 适用于工作电压不高于 Vrwm(5V)的信号线;对 5V 总线应用应谨慎评估裕量。
  • 若需要双向保护或更高能量吸收,请选用相应的双向或更高功率型号。
  • ESD 抑制能力与实际钳位电压、泄放路径及 PCB 布局密切相关,建议在样机验证阶段进行实际放电测试。
  • 为延长器件寿命,避免长时间重复承受接近器件极限的脉冲能量。

如需芯片封装尺寸图、焊盘建议、典型特性曲线或完整数据手册,可进一步索取详细资料或样品验证。