型号:

CDSOT23-SM712-ES

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CDSOT23-SM712-ES 产品实物图片
CDSOT23-SM712-ES 一小时发货
描述:保护器件 2路双向ESD
库存数量
库存:
4405
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.104
3000+
0.0826
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)12V;7V
钳位电压19V;26V
峰值脉冲电流(Ipp)17A
峰值脉冲功率(Ppp)350W
击穿电压7.5V;13.3V
反向电流(Ir)1uA
通道数双路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容40pF

CDSOT23-SM712-ES 产品概述

CDSOT23-SM712-ES 是 ElecSuper(静芯微)推出的一款双路双向 ESD 保护器件,封装为 SOT-23,专为工业与消费类电子中对差分信号线和电源线的瞬态抑制而设计。器件工作温度范围宽(-40℃ ~ +125℃),通过 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-4(电快速瞬变)等电磁兼容测试,适合多种严苛应用场景。

一、主要特性

  • 双路(2 通道)双向 ESD 保护,单芯片保护两条信号线。
  • 钳位电压:19 V(一路)、26 V(一路),在瞬态冲击下有效限制尖峰电压。
  • 反向工作电压(Vrwm):两路分别为 7 V 与 12 V,可覆盖不同电平的信号与电源保护需求。
  • 击穿电压(Vbr):对应为 7.5 V 与 13.3 V,保证在正常工作电压下不导通。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350 W(标准 1 ms 波形),瞬态能量吸收能力强。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:17 A。
  • 结电容 Cj:典型 40 pF(对高速信号有一定影响,选择时需考虑带宽要求)。
  • 反向泄漏电流 Ir:≤1 μA(在 Vrwm 下),静态功耗小。
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃。
  • 封装:SOT-23,体积小,便于自动贴装与批量生产。

二、典型电气参数(两路对应说明)

  • 通道 A:Vrwm = 7 V,Vbr ≈ 7.5 V,Vclamp ≈ 19 V(在指定 Ipp 下)。
  • 通道 B:Vrwm = 12 V,Vbr ≈ 13.3 V,Vclamp ≈ 26 V(在指定 Ipp 下)。
    (注:以上 Vclamp 为典型钳位值,实际值随测试条件与冲击电流变化。)

三、典型应用场景

  • 工业控制、楼宇自控中的 12 V/7 V 信号线与接口保护。
  • 串行总线与差分接口(如 RS-485、CAN 总线变型)、传感器接口与 I/O 端口防护。
  • 通信设备、机顶盒、路由器前端的端口防护,防止人为静电与雷击诱发的瞬态损伤。
  • 工业/消费类终端的外部按键、接口及线缆入线的防护。

四、封装与 PCB 布局建议

  • 封装:标准 SOT-23,三引脚设计(两信号脚 + 共地/共线脚)。
  • 布局建议:保护器件尽量靠近受保护的输入/输出端口放置,保护引线尽量短,直接连到地平面或参考地。若为差分/双线保护,确保地线或共地回流路径短且阻抗低。
  • 在器件地脚附近增加多孔接地并用过孔(vias)将地引到内部地平面,以降低环路电感。
  • 对于对带宽敏感的高速信号,请评估 40 pF 结电容对信号完整性的影响,必要时在器件前端增加阻抗匹配或滤波元件。

五、可靠性与标准符合性

  • 满足 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-4(电快速瞬变)等级测试要求。
  • 器件在宽温区间(-40℃ ~ +125℃)内保持稳定性能,适合工业环境使用。
  • 推荐在设计中配合适当的浪涌能量管理(如限流电阻、保险丝)以提高系统重复防护能力。

六、使用注意事项与选型建议

  • CDSOT23-SM712-ES 为瞬态抑制器件,不是过流断路保护件;大能量重复冲击需考虑外加限流或熔断器。
  • 双向型号在任何极性下均能钳位,对于单极性电源线请确认是否需要单向 TVS。
  • 若系统对高频带宽要求很高(例如高速 USB3、PCIe 等),请评估 40 pF 电容对信号的影响,必要时选用低容型 TVS。
  • 选型时注意匹配保护等级(Vrwm/Vbr 与系统工作电压)以避免误触发或不足保护。

如需样片、封装尺寸图、详细电气特性曲线或参考设计(PCB 示意、测试波形),可进一步联系 ElecSuper(静芯微)或授权代理获取更详尽的技术资料与应用支持。