型号:

2SD669AL-D-TN3-R

品牌:UTC(友顺)
封装:TO-252-2(DPAK)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
2SD669AL-D-TN3-R 产品实物图片
2SD669AL-D-TN3-R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 160V 1.5A NPN
库存数量
库存:
3614
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.44352
2500+
0.40656
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)160V
耗散功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE)160@150mA,5V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
射基极击穿电压(Vebo)5V

2SD669AL-D-TN3-R 产品概述

一、产品简介

2SD669AL-D-TN3-R 是 UTC(友顺)出品的一款中功率 NPN 双极晶体管,额定集电极击穿电压高达 160V,最大集电极电流 1.5A,耗散功率 2W,采用 TO-252-2 (DPAK) 表面贴装封装。器件针对中高压开关与功率放大应用进行了优化,兼顾开关速度与驱动能力,适合在空间受限的线路板上实现可靠散热与高压工作。

二、主要特性

  • 直流电流增益 hFE ≈ 160(测量条件:Ic=150mA, Vce=5V),低电流时有良好放大性能。
  • 集电极截止电流 Icbo ≤ 10μA,低漏电保证高阻态可靠性。
  • 特征频率 fT ≈ 140MHz,具备较好的高频响应,利于开关与小信号放大场合。
  • 集-射极饱和压 VCE(sat) ≈ 1V(近饱和状态),饱和损耗适中。
  • 基-射极反向击穿 Vebo = 5V,使用时应注意限制反向基极电压。

三、典型应用

  • 中高压开关电路:DC-DC 升压/降压变换器、开关电源辅助级。
  • 继电器/电磁阀驱动、步进/直流电机驱动的低侧开关。
  • 音频前级、小信号放大与电平转换场合。
  • 工业控制与消费电子中需兼顾电压耐受与开关速率的场景。

四、封装与散热建议

TO-252-2 (DPAK) 表面贴装适合自动贴装与回流焊工艺。器件 Pd=2W(无额外散热时),推荐在 PCB 设计中采用大面积散热铜箔、热通孔或专用散热垫,以降低结–壳热阻并提升长期可靠性。对持续高电流工作,应评估结温与 SOA(安全工作区)并进行必要热设计。

五、使用注意事项

  • 基极驱动:为保证快速进入饱和且不损伤基极,推荐使用限流电阻并根据所需 Ic 设计基极电流,避免过度反向 VBE。
  • 感性负载:带感性负载时应并联续流二极管或 RC 抑制网,防止高压尖峰击穿。
  • 并联使用:若需并联增加电流,建议在每个管子发射极串上小电阻以均流。
  • 热管理:在高温环境或接近最大 Ic 条件下需预留安全裕度,避免超出 Pd。

六、典型电路参考

常见用法为低侧开关:发射极接地,集电极连接负载后接高电源;基极经限流电阻由 MCU 或驱动器驱动。对于开关电源,可作为开关管或驱动级晶体管,结合驱动电路与吸收元件保证稳定工作。

七、订购与替换

型号:2SD669AL-D-TN3-R,品牌:UTC(友顺),封装:TO-252-2 (DPAK)。选型时如需更高功率或不同封装,可考虑同类 2W 以上功率或 TO-220/TO-247 封装的替代器件。购买时请关注真实器件出厂批次与完整规格书以确认 SOA、热阻等详细参数。