型号:

BC847C

品牌:YONGYUTAI(永裕泰)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
BC847C 产品实物图片
BC847C 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN
库存数量
库存:
1999
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.032
3000+
0.0254
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)800@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@100mA,5mA
射基极击穿电压(Vebo)6V

BC847C 产品概述

一、产品简介

YONGYUTAI(永裕泰)BC847C 是一款小信号 NPN 双极型晶体管,适用于低功耗开关与小信号放大场合。器件采用 SOT-23 封装,体积小、便于表面贴装,兼顾通用性与成本效益,适合批量生产与模块化电路设计。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 直流电流增益 hFE:高达 800(在 Ic = 2 mA,VCE = 5 V 条件下)
  • 集电极-射极击穿电压 VCEO:45 V
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA
  • 集电极截止电流 ICBO:≤ 10 nA(常温)
  • 特征频率 fT:约 100 MHz,适合高频小信号放大
  • 耗散功率 Pd:200 mW(封装与环境依赖)
  • 发射极-基极击穿电压 VEBO:6 V
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 500 mV(在 Ic = 100 mA,Ib = 5 mA 时典型值)

三、封装与热特性

器件封装为 SOT-23,适合表面贴装工艺。由于最大耗散功率仅 200 mW,布局时需注意散热路径与铜箔面积,避免长时间高功耗工作导致结温上升,从而影响可靠性与增益特性。

四、典型应用

  • 低电流前置放大器与信号检测
  • 小信号开关与逻辑驱动(非持续大电流场合)
  • 高频小信号放大与混合信号前端(频率可达数十 MHz)
  • 便携式与电池供电设备的模拟电路

五、使用注意事项

  • 高增益特性在低电流工作点表现最好,但需注意稳定性与反馈引起的振荡,必要时加入基极电阻或旁路电容。
  • 避免在超过 VCEO、VEBO 与 Pd 的条件下使用,以防击穿与热失效。
  • 建议在焊接与回流时遵循 SOT-23 的温度曲线,防止封装过热。
  • 留意 ESD 防护措施,基极对静电敏感。

六、订购与替代

品牌:YONGYUTAI(永裕泰);封装:SOT-23。若需更高功耗或更低饱和电压的替代,可考虑封装体积更大或专用低饱和管型,但需核对 VCE、Ic 与增益特性是否匹配设计要求。