BSS123 产品概述

一、产品简介

BSS123 是一款由 MDD 推出的单颗 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），采用 SOT-23 小封装设计，针对高压小电流开关与信号控制场合优化。器件耐压高达 100V，适合在受限空间内实现高电压隔离或开关控制，兼顾开关速度和封装尺寸的平衡。

二、主要电参数

• 漏-源电压 (Vdss)：100 V
• 连续漏极电流 (Id)：200 mA
• 导通电阻 RDS(on)：3 Ω @ Vgs = 10 V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.8 V @ ID = 250 µA
• 总栅极电荷 Qg：1.61 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：32 pF
• 输出电容 Coss：10 pF
• 反向传输电容 Crss (Crss)：7 pF
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +150 ℃
• 功耗 Pd：350 mW
• 封装：SOT-23（单颗 N 沟道）

三、特性亮点

• 100V 高耐压，适合中高压开关与保护电路；
• 小巧 SOT-23 封装利于空间受限的板级设计；
• 较低的 Ciss/Coss/Crss 有利于快速开关，寄生能量较小；
• 较小的总栅电荷（1.61 nC）减少驱动能耗，适合被 MCU 或小型驱动器直接驱动（在合适栅压下）；
• 宽温度范围满足工业级应用需求。

四、典型应用场景

• 高压小电流开关：如电池管理、备用电源切换、低功率开关电源辅助开关；
• 信号级别切换与隔离：用于控制高电压负载的中间开关或驱动隔离；
• 测试与测量仪器：需要高耐压且低寄生电容的模拟开关或保护器件；
• 工业与通讯小型电路板：空间受限且需承受高电压峰值的场合。

五、使用与设计建议

• 驱动电压：为达到标称 RDS(on) 需 Vgs≈10 V；在 3.3 V 或 5 V 驱动下应验证导通损耗，阈值为 1.8 V，仅用 3.3 V 驱动时导通电阻会显著上升；
• 开关速度与抑制：器件 Ciss/Crss 较小，开关快速，建议在驱动回路加入合适的栅阻（例如 10–100 Ω）以抑制振铃并控制 dv/dt；必要时在漏极并联 RC 或 TVS 做浪涌抑制；
• 热管理：封装功耗 Pd = 350 mW，SOT-23 热阻相对较高，长时间工作或高占空比场景需通过扩大 PCB 铜箔面积、加热沉区域或降低平均电流来保证温升可控；
• 布局注意事项：栅极走线尽量短且靠近驱动源，漏极与负载走线减小寄生电感，接地良好以降低环路噪声。

六、封装与可靠性

SOT-23 小封装便于自动贴装与大批量生产，适应工业级温度范围（-40 ℃ ～ +150 ℃）。在高压脉冲或反复开关场景，应关注封装应力、焊盘设计与回流工艺对长期可靠性的影响。

总结：BSS123（MDD，SOT-23）是一款面向高压小电流应用的通用 N 沟道 MOSFET，兼具高耐压、低寄生电容与小巧封装优势。合理的驱动与热设计可在工业、通信、测控等场合实现稳定可靠的开关与保护功能。