LMBT3904TT1G 产品概述

一、产品简介

LMBT3904TT1G 是一款小功率 NPN 双极结晶体管，适用于通用开关与小信号放大场合。由 LRC（乐山无线电）生产，采用 SC-89 小型封装，集成了较高的频率响应与适中的电流承载能力，适合便携与密集电路板设计。该器件在宽温度范围内工作（-55℃ 至 +150℃），可靠性良好，适用于民用电子与工业控制等多种应用领域。

二、主要特点

• NPN 小信号晶体管，单只封装（数量：1个）
• 最大集电极电流 Ic = 200 mA（瞬态或受限于热量与封装）
• 集电极-发射极击穿电压 Vceo = 40 V
• 直流电流增益 hFE ≈ 40（测量条件：Ic = 0.1 mA，Vce = 1.0 V）
• 特征频率 fT = 200 MHz，适用于高频小信号放大
• 低集电极截止电流 Icbo = 50 nA，适合低漏电流要求的电路
• 集电极耗散功率 Pd = 300 mW（注意受环境与封装散热限制）
• 集发击穿电压 Vebo = 6 V
• 集-射极饱和电压 VCE(sat) = 300 mV（标注条件：50 mA, 5 mA）
• 工作温度范围宽：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SC-89（超小型表面贴装，便于高密度布局）

三、电气参数（摘要）

• 集电极最大电流（Ic）：200 mA
• 集电极耗散功率（Pd）：300 mW（环境条件与散热相关）
• 集电极-发射极击穿电压（Vceo）：40 V
• 发射极-基极击穿电压（Vebo）：6 V
• 集电极截止电流（Icbo）：50 nA（典型很小）
• 直流电流增益（hFE）：40（在 Ic=0.1 mA，Vce=1.0 V 条件下）
• 特征频率（fT）：200 MHz
• 饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（标注工作点见产品参数）
• 工作温度：-55℃ 至 +150℃

（注：以上参数为概要性说明，具体典型值与极限值请以正式数据手册为准。）

四、典型应用

• 低功耗开关与驱动电路（逻辑电平转换、小继电器驱动，受限于耗散功率与电流）
• 通用小信号放大器（音频前级、增益级、差分放大等）
• 高频/射频前置放大（fT=200 MHz，可用于 VHF 带宽的低噪声或驱动级）
• 电平转换、脉冲驱动与信号整形
• 便携式设备、传感器前端、嵌入式控制模块中的常用晶体管替换件

五、封装与机械注意

LMBT3904TT1G 采用 SC-89 超小型 表面贴装封装，适合高密度 PCB 布局。SC-89 封装热阻较大，器件的最大耗散能力受限于 PCB 的散热设计。实际电流和功率的持续使用应考虑：

• 使用足够的铜箔面积和散热过孔以降低结温
• 在高电流工作（接近 Ic 最大值）或高环境温度下，应限定占空比或降低电流以避免过热
• 引脚功能与封装引脚排列请参照厂商数据手册以避免接错

六、设计与使用建议

1. 功率与热设计：虽然 Ic 最大可达 200 mA，但 Pd 仅 300 mW。若长期工作在高电流下，应通过 PCB 降低结温（增大铜面、增加过孔），并考虑峰值驱动而非持续导通。
2. 饱和驱动：若用于开关饱和导通，需要提供足够的基极电流以保证低 VCE(sat)，但基极电流过高会升高功耗与结温。按器件给定的 VCE(sat) 条件（标注值）进行基极设计。
3. 高频应用：fT=200 MHz 表明可用于 VHF 及一般射频前级，但在射频链路中需关注封装寄生电容与布局寄生，合理布线和阻抗匹配非常重要。
4. 低泄漏场合：Icbo=50 nA，适合对漏电要求敏感的低频或微弱信号电路。
5. ESD与稳压保护：基极-发射极击穿电压较低（Vebo=6 V），在输入端增加限流或保护器件可提高可靠性。

七、结论

LMBT3904TT1G 是一款面向通用小信号与低功率开关应用的 NPN 晶体管，具有良好的频率响应（fT=200 MHz）、适中的电流承载能力与低漏电特性。其超小 SC-89 封装适合现代便携与密集 PCB 设计，但在高电流或高功耗场合需特别注意热管理与工作点限制。建议在设计前查阅完整数据手册以获得详细的极限参数、引脚排列与典型电路参考。