SMFJ30A 产品概述

一、主要参数概览

SMFJ30A（BORN/伯恩半导体），SOD-123F 封装，单向 TVS 二极管，针对静电与浪涌保护设计。关键参数如下：

• 反向工作电压 Vrwm：30V
• 击穿电压（BV）: 36.8V
• 钳位电压（Vc @ 10/1000µs）：48.4V
• 峰值脉冲功率 Ppp：200W（10/1000µs 波形）
• 峰值脉冲电流 Ipp：4.1A（10/1000µs）
• 反向漏电流 Ir：1µA
• 极性：单向（用于 DC 正负极保护）

二、器件特性与工作原理

SMFJ30A 在正常工作时处于高阻抗状态，反向电压不超过 Vrwm（30V）时，漏电微弱（Ir≈1µA）。当瞬态浪涌或静电放电导致电压超过击穿电压（≈36.8V）时，器件进入雪崩导通，迅速将过电流引向接地并把瞬时电压钳位在约48.4V，以保护下游电路不被高压冲击损坏。10/1000µs 波形的 Ppp 与 Ipp 指示其对长持续时间脉冲（如感应雷电浪涌）的能量承受能力。

三、典型应用场景

适用于以 24V 或类似直流电源轨为主的系统保护，例如：

• 工业控制（PLC、传感器接口、电源输入）
• 通信设备（供电线路防护）
• 汽车电子的次级防护与车载附属模块（非高压主线）
• 家用及商业电源输入防护、I/O 口保护

四、PCB 布局与安装建议

• 贴近被保护端子封装布放，正极（单向）朝向被保护线路，负极接地面，最短、最粗的走线以减小寄生电感。
• 在高能量浪涌环境下，建议与串联熔断器或限流电阻配合，避免频繁超额冲击。
• SOD-123F 为表贴封装，焊盘设计应保证良好散热，必要时在地线/电源层增加过孔以提升热耗散。
• 对于双向需要，应选用相应型号；若系统有反向电压风险，注意极性安排。

五、选型与可靠性注意事项

• 若系统可能遭受更高能量或更短脉冲（例如 IEC 61000-4-5 大能量浪涌或直击雷相关），需选择 Ppp/Ipp 更高的器件或并联/级联保护方案。
• 考虑工作温度与重复浪涌次数，对应器件的热稳定性与浪涌能力会随温度、频次而衰减，应按实际工况留有余量。
• 单向器件对直流系统最为适合，交流或双向浪涌场合请选择双向型号。
• 出于长期可靠性，建议在设计验证阶段进行实际浪涌与 ESD 测试（IEC61000-4-5/4-2）以确认保护效果。

总结：SMFJ30A 以其 30V 反向工作电压、48.4V 钳位和 200W 的浪涌能量处理能力，适合对 24V 类直流电源和信号线提供高性价比的瞬态过压保护。在布板、配套限流与实际环境评估到位的前提下，可有效降低静电与感应浪涌对系统的风险。