型号:

SCT52240STDR

品牌:SCT(芯洲科技)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
SCT52240STDR 产品实物图片
SCT52240STDR 一小时发货
描述:栅极驱动器 SCT52240STDR
库存数量
库存:
12015
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.844
4000+
0.8
产品参数
属性参数值
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压4.5V~24V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH13ns
传播延迟 tpHL13ns
特性过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)2.1V~2.4V
输入低电平(VIL)800mV~1V
静态电流(Iq)55uA

SCT52240STDR 栅极驱动器 — 产品概述

一、概述

SCT52240STDR 是芯洲科技(SCT)推出的一款双通道低边栅极驱动器,专为驱动 MOSFET 和 IGBT 设计。器件采用 SOP-8 封装,工作电压宽范围(4.5V–24V),单通道输出具备 ±4A 的拉/灌电流能力,适合高开关速度要求的电源转换、电机驱动和逆变等功率电子场景。

二、主要特性

  • 双通道低边配置,独立输入控制,适用于多相或并联开关拓扑。
  • 输出峰值灌电流 IOL = 4A,输出峰值拉电流 IOH = 4A,高驱动能力可缩短开关时间。
  • 工作电压范围:4.5V ~ 24V,兼容常见驱动电源。
  • 上升/下降时间:tr = 8ns,tf = 8ns,快速切换性能良好。
  • 传播延迟:tpLH = 13ns,tpHL = 13ns,有利于精确时序控制。
  • 输入阈值:VIH = 2.1V ~ 2.4V,VIL = 0.8V ~ 1.0V,可直接由 MCU/FPGA 驱动(注意保证输入电平稳定)。
  • 静态电流 Iq = 55µA,空载耗电低,有利于系统待机功耗控制。
  • 内建过热保护(OPT),提高可靠性;工作温度范围 -40℃ ~ +150℃。

三、典型电气参数(关键项)

  • 通道数:2(独立)
  • 输出驱动:低边(N 沟 MOSFET/IGBT)
  • 驱动电流:4A(拉/灌)
  • 驱动电源:4.5V–24V
  • 开关速度:tr/tf = 8ns
  • 传播延迟:13ns(上/下)
  • 输入阈值:VIH 2.1–2.4V,VIL 0.8–1.0V
  • 静态电流:55µA
  • 过热保护:有(OPT)
  • 工作温度:-40℃ ~ +150℃
  • 封装:SOP-8

四、典型应用

  • 伺服与步进驱动器中的低边开关驱动
  • DC-DC 升/降压变换器、逆变器的功率管驱动
  • 电机驱动控制器、家电、电动车辆辅助电源模块
  • 开关电源、太阳能逆变/储能系统中的功率级控制

五、实用设计建议

  • 驱动电源去耦:靠近 VCC 放置低 ESR 陶瓷电容(如 0.1µF)并并联适量电解/钽电容,以抑制瞬态电流脉冲。
  • 门极电阻:建议在输出到栅极间并联合适的门极电阻(常见 2Ω–20Ω),用于限制峰值电流并抑制振铃,依据器件电容和电路寄生选择阻值。
  • 闭环与延时:SCT52240 为低边独立通道,若用于半桥,请在驱动逻辑中加入死区时间以避免高低侧重合导通。
  • 布局与散热:SOP-8 封装散热依赖 PCB 铜箔与过孔,尽量增加焊盘铜面积和散热填充,缩短高回流电流回路以降低寄生电感。
  • 保护元件:在高 dv/dt 场合,建议在栅极或电源线上并联 RC、TVS 或阻尼元件,抑制尖峰并保护驱动器和功率管。
  • 过热保护注意:器件内置过热保护,触发时输出会被限制或关断,设计时应考虑保护触发后的恢复行为并在系统中提供故障反馈。

六、封装与订购信息

  • 品牌:SCT(芯洲科技)
  • 型号:SCT52240STDR
  • 封装:SOP-8(标准封装,便于自动贴装)
  • 订购时请注意对照完整数据手册以确认引脚排列、绝对最大额定值与典型特性参数,确保在额定范围内使用。

如需更详细的电气参数、引脚功能表、典型应用电路或 PCB 布线范例,可提供进一步资料或原厂数据手册以便深入设计验证。