MMBT3904-MS 产品概述

一、产品简介

MMBT3904-MS 是 MSKSEMI（美森科）推出的一款通用小信号 NPN 双极型晶体管，SOT-23 封装，丝印 "1AM"（批次标识范围 100-300）。该器件具备中等电压、较高增益和高速特性，适合开关与放大电路的通用应用。

二、主要参数（典型/最大值）

• 晶体管类型：NPN（小信号）
• 集——射击穿电压 Vceo：40 V
• 集电极电流 Ic（最大）：200 mA
• 直流电流增益 hFE：300（典型）
• 特征频率 fT：300 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 射基击穿电压 Vebo：6 V
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：约 300 mV
• 功耗 Pd（总耗散）：200 mW
• 工作温度：-55 ℃ ～ +150 ℃

三、特性与优势

• 高频性能良好：fT = 300 MHz，适合宽带、小信号放大或驱动应用。
• 高增益：hFE 可达 300，利于低偏流放大器的增益设计与温度补偿。
• 低漏电：Icbo 低至 100 nA，有利于高阻抗电路的稳定性与低偏置电流要求。
• 小封装、通用性强：SOT-23 适合贴片自动化生产，占板面积小。

四、典型应用场景

• 低功耗开关与驱动（数字接口、继电器/小功率继电驱动）
• 通用小信号放大（前置放大、音频低频放大）
• 电平移位、缓冲、驱动 LED/小继电器
• 高频低功耗放大器与射频前端的非功率级应用

五、设计与使用建议

• 在接近最大 Ic（200 mA）与 Pd（200 mW）工作时注意热量管理，建议留有安全裕量并进行功耗估算与热仿真。
• VCE(sat) 300 mV 为典型值，饱和压与基极电流、集电流关系密切，实际设计请参考数据手册的测试条件并调整基极限流。
• 在高速切换或放大应用中注意寄生电容和布线感抗，合理布局反馈与旁路电容以保证稳定性。
• 对于关键参数（如 hFE 随 Ic/温度变化、SOA 极限），请以官方数据手册为准并做好裕量设计。

六、封装与可靠性

• 封装：SOT-23（适用于自动贴片工艺）
• 丝印标识：1AM（批次 100-300）
• 环境与可靠性：工作温度范围 -55 ℃ 至 +150 ℃，适用于工业级温度要求。建议在高湿或高静电环境下采取相应保护与封装措施。

七、选型建议与替代

MMBT3904-MS 适合寻找通用、高增益、高频小信号 NPN 的场合。若需更高功耗或不同封装（如 TO-92）、更低 VCE(sat) 或不同增益特性，可考虑 2N3904、MMBT3904（其它厂商版本）等作为替代，但请比对 Vceo、Ic、Pd 与封装管脚定义以确认兼容性。

如需原厂完整电气特性曲线、引脚定义与典型电路，请参考 MSKSEMI 官方数据手册与样片测试报告。