BDFN2C071V 产品概述

一、概述

BDFN2C071V 是 BORN（伯恩半导体）推出的双向瞬态抑制二极管（TVS），采用小型 DFN1006 封装，专为对抗静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击/浪涌（Surge）而设计。器件符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 与 IEC 61000-4-5 等工业级抗扰度要求，适用于对体积、响应速度和电容有严格要求的保护场合。

二、主要电气参数

• 钳位电压（Vcl）：12 V（典型，Ipp=8A@8/20μs）
• 击穿电压（Vbr）：7.5 V
• 反向截止电压（Vrwm）：7 V（工作电压上限）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8 A @ 8/20 μs
• 结电容（Cj）：15 pF（低电容，适合高速信号线）
• 反向漏电流（Ir）：1 μA（在 Vrwm 条件下）
• 极性：双向

三、主要特性与优势

• 抗扰能力强：通过 IEC 61000-4 系列测试，能有效保护接口和电源线免受 ESD/EFT/Surge 损伤。
• 低结电容（15 pF）：对高速数据线（例如 USB2.0、HDMI、LVDS 等）影响小，信号失真低。
• 小尺寸封装 DFN1006：节省 PCB 空间，适合集成度高的终端设备。
• 双向保护：无需外加极性识别，适合交流耦合信号或双向数据线保护。

四、应用场景

• 消费电子：智能手机配件、平板、笔记本外围接口保护。
• 通讯设备：路由器、网关、以太网接口（非高压供电线路）保护。
• 工业控制：传感器输入、低压控制线的瞬态过压防护。
• 汽车电子（非直接车载高压供电回路）：对 5V/7V 类信号线的保护（需按系统要求验证）。

五、设计与布局建议

• 尽量将 TVS 靠近被保护的连接器或器件引脚放置，减少走线感应引入的干扰。
• 对地端使用低阻抗连续接地面，并在必要处添加过孔以改善散热与回流。
• 对高速差分信号采用对称布局，避免引入阻抗不连续。
• 若系统工作电压接近 Vrwm，应选择有适当裕度的 TVS 或使用限流/滤波措施。

六、可靠性与选型提示

• 在选型时考虑最大脉冲能量和系统可能承受的浪涌幅值：8A@8/20μs 适合中等能量浪涌场景。
• 当系统要求更低电容或更高能量脉冲承受能力时，可参考同系列其它型号或并联/串联组合方案（需评估热与电应力）。
• 封装和标识：DFN1006 小封装，适用于自动贴装与回流焊工艺。

如需器件原始数据手册、典型波形图或 PCB 封装库文件（Footprint/3D），可进一步提供，我将协助准备。