BDFN2C031RF 产品概述

一、产品简介

BDFN2C031RF 是伯恩半导体（BORN）推出的一款单路双向瞬态电压抑制器（TVS），封装为 DFN1006-2（俗称 BDFN 小封装）。器件专为对敏感信号线和供电线路提供抗静电放电（ESD）、脉冲群（EFT）和浪涌（Surge）保护而设计，满足 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 与 IEC 61000-4-5 等工业级抗扰度要求。

二、主要电气参数

• 钳位电压（Vc）：19 V（峰值脉冲条件下）
• 击穿电压（Vbr）：7.5 V
• 反向截止电压（Vrwm）：3.3 V（适用于 3.3V 工作电压系统）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：60 W @ 8/20 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：3.5 A @ 8/20 μs
• 反向电流（Ir）：≤ 500 nA
• 结电容（Cj）：0.4 pF（极低寄生电容）
• 通道数：单路；极性：双向

三、性能特点与优势

• 低结电容（0.4 pF）非常适合高速数据线与差分信号线，降低对信号完整性的影响；
• 双向结构便于对差分对或需正负脉冲保护的线路进行保护，无需额外极性处理；
• 60 W/8/20 μs 的吸收能力和 3.5 A 峰值脉冲电流，能有效钳制常见浪涌与脉冲干扰；
• 极低漏电流（≤500 nA），适合对待机功耗敏感的电路；

四、典型应用场景

• 3.3 V 数字接口保护（如 UART、I²C、SPI、GPIO）；
• 高速差分信号线保护（如 LVDS、USB 数据对，需注意工作电压匹配）；
• 工业控制与通信终端的外部接口保护（满足 IEC 抗扰标准）；
• 小型化便携设备与低功耗系统的防护单元。

五、封装与布局建议

• 封装：DFN1006-2，小尺寸利于密集 PCB 布局；
• 布局：器件应尽可能靠近被保护引脚放置，走线最短、最粗，旁边配合完整接地平面以提供低阻回流路径；
• 热与能量分散：在高能量场合可并联合适阻值的串联电阻或使用多级保护方案以分散冲击能量；
• 兼容性：Vrwm = 3.3 V，请勿直接用于 5 V 或更高工作电压线路，选择时确认系统额定电压。

六、选型与注意事项

• 若保护对象为 3.3 V 系统并且关注信号完整性，BDFN2C031RF 为优选；对 5 V 或更高电压需选用对应 Vrwm 的 TVS；
• 钳位电压 19 V 在极强浪涌时仍会对后端器件产生应力，必要时增加阻抗元件或多级保护；
• 仔细参考器件在不同温度与工作条件下的漏电与钳位特性，板级设计应考虑 IEC 耐受等级与实际测试需求。