CMD11N40 产品概述

一、产品简介

CMD11N40 是广东场效应半导体（Cmos）推出的一款单只 N 沟道功率 MOSFET，额定漏极-源极电压 400V，适用于中高压开关场合。封装采用表面贴装 TO-252（DPAK），工作温度范围 -55℃~+150℃，单只供应，适合开关电源与高压功率转换应用。

二、主要参数

• 漏源电压 Vdss：400V
• 连续漏极电流 Id：11A
• 导通电阻 RDS(on)：530mΩ @ Vgs=10V（4.5A 测试条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：4V
• 总栅极电荷 Qg：30nC（说明值）
• 输入电容 Ciss：2.2nF @25V
• 反向传输电容 Crss：85pF
• 最大耗散功率 Pd：100W（依散热条件）
• 封装：TO-252（DPAK）

三、器件特性与优点

• 高电压耐受：400V 额定支持离线及半桥拓扑中的高压开关。
• 适中导通电阻：在 10V 驱动下 RDS(on)=530mΩ，适合中小功率、高压开关场合。
• 中等栅极电荷与输入电容：Qg≈30nC、Ciss≈2.2nF，驱动能耗可控，但在高频切换时需注意驱动能力与损耗。
• TO-252 封装便于自动贴装与散热处理，适合集成在 PCB 散热方案中。

四、典型应用场景

• 开关电源初级开关（例如反激、半桥）
• 功率因数校正（PFC）高压开关段
• LED 电源、工业电源和适配器
• 中小功率逆变器与电机驱动前端开关

五、使用建议与注意事项

• 驱动电压建议以 10V 为目标以达到标称 RDS(on)，Vgs(th)=4V 表明该管非逻辑电平型，低门极电压下导通不足。
• 在高频切换场合使用合适的门极电阻（数十欧姆范围）以抑制振铃并限制瞬态电流，同时考虑驱动器的峰值电流能力。
• 散热设计关键：TO-252 封装对 PCB 铜箔面积和散热垫依赖大，确保足够的散热铜箔和过孔以实现额定 Pd。
• 对于高 dV/dt 场合，建议在漏源间并联合适的箝位（RC、RCD 或 TVS）以保护器件并避免能量回灌。
• 所有极限值、脉冲额定和热阻等详细参数以厂家正式数据手册为准，设计时留有裕量。

六、封装与可靠性

• TO-252（DPAK）支持自动贴装与回流焊，建议按照厂家推荐的回流曲线与焊接工艺执行。
• 工作温度范围宽，适合工业级应用，但长期可靠性依赖于结温管理与实际使用环境。

七、结论

CMD11N40 以 400V 耐压与 11A 连续电流能力，适用于多种中高压开关电源与工业电源场合。设计时重点关注门极驱动、散热与抗瞬态保护，结合完整数据手册与实测验证可获得稳定可靠的应用表现。