AGM403A1 产品概述

一、主要特性

AGM403A1 是 AGM-Semi（芯控源）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，单颗器件适用于中低压高电流场景。器件额定漏源电压为 40V，连续漏极电流可达 120A，导通电阻 RDS(on) 仅 2.3mΩ（VGS=10V），开关电荷 Qg 为 20nC（VGS=10V），输入电容 Ciss=5.189nF、反向传输电容 Crss=378pF（测量条件 20V）。

二、规格摘要

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：40V
• 连续漏极电流 Id：120A
• 导通电阻 RDS(on)：2.3mΩ @ VGS=10V
• 最大耗散功率 Pd：83W
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6V @ 250µA
• 总栅电荷 Qg：20nC @ VGS=10V
• 输入电容 Ciss：5.189nF @ 20V
• 反向传输电容 Crss：378pF @ 20V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：DFN (5×6)
• 品牌：AGM-Semi（芯控源）

三、优势与典型应用

低 RDS(on) 与高电流能力使 AGM403A1 在导通损耗控制方面表现优异，适合高效率要求的同步整流、降压 DC-DC 转换器、电机驱动、功率分配与负载开关等场合。中等栅电荷和较大的 Ciss 提示在高速开关与驱动电流之间需要权衡：可实现快速切换，同时需相应的驱动能力以限制开关损耗和 EMI。

四、封装与热设计建议

DFN(5×6) 提供紧凑尺寸与较好的热路径，但实际散热性能依赖于 PCB 散热设计。建议在器件下方和引脚处使用较大铜面、若干过孔通往内层/底层散热层，并保证良好焊盘接地。在高功率工作点下参考总耗散 Pd=83W 的热预算，留足安全裕量，配合温度监测与保护电路。

五、驱动与使用注意

推荐栅极驱动电压 10V 以达到标称 RDS(on)。栅极驱动器需能提供峰值电流以快速充放电 Qg，降低切换过渡时间，但同时注意抑制振铃与过冲。输入/输出滤波与 PCB 布线应最小化回流环路面积，降低 EMI。工作环境温度及散热不当会显著影响导通电阻与可靠性，设计时应考虑热阻与结温上升。