AGM6014A 产品概述

一、产品简介

AGM6014A 是 AGM-Semi（芯控源）提供的一款高性能单片 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压为 60V，适用于中低压、高电流的开关与功率传输场景。器件工作温度范围宽，适应工业级应用需求。

二、主要性能参数

• 类型：单个 N 沟道 MOSFET
• Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：80A
• 导通电阻 Rds(on)：4.6mΩ @ Vgs=10V；6.5mΩ @ Vgs=4.5V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6V @ Id=250µA
• 总栅电荷 Qg：33nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：1.58nF；输出电容 Coss：428pF；反向传输电容 Crss：25pF
• 耗散功率 Pd：54W（需参考封装热阻及 PCB 散热设计）
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 封装：DFN 5x6（带底部散热焊盘）

三、封装与热特性

DFN(5x6) 封装配合大底盘焊盘，利于热量通过 PCB 散布，适合高电流密度应用。器件的 54W 耗散能力在实际使用中受 PCB 铜箔面积、过孔散热与环境温度影响，建议在高电流设计中增加散热铜箔并使用多通孔热过孔以降低结-壳温度。

四、关键特性与优势

• 极低导通电阻（4.6mΩ@10V），在 12V/24V 电源系统或同步整流场合可显著降低导通损耗。
• 适中的栅电荷（33nC）在保证低导通损耗的同时，亦有利于降低驱动损耗和提升开关频率。
• 宽温度范围与工业级可靠性，适合汽车电子、工业控制等严苛环境。
• DFN 小型化封装有利于高密度 PCB 布局与体积优化。

五、典型应用

• 同步降压转换器与 DC-DC 电源模块
• 服务器与通信电源 VRM
• 电机驱动及 H 桥功率开关
• 汽车 12V/24V 电源管理与电池保护（需符合车规要求）
• 高效功率开关与热插拔电源保护

六、设计建议与注意事项

• 推荐栅极驱动：若追求最低损耗，采用 10V 驱动；在逻辑电平驱动（4.5V）下仍可使用但需考虑略增的导通损耗。
• 布局：尽量缩短高电流回路的走线，放置大面积散热铜箔并配合底部过孔。
• 保护：器件未给出击穿能量参数时，应在设计中预留电流限制或吸收电路，避免重复大能量浪涌。
• 焊接与可靠性：DFN 底部焊盘需确保良好回流焊接工艺，避免热应力导致焊点失效。

七、可靠性与采购信息

品牌：AGM-Semi（芯控源）；封装 DFN(5x6)。在量产与关键应用中，建议获取完整数据手册及可靠性测试报告，进行样机验证并关注库存与长期供应可用性。

总结：AGM6014A 在 60V 级别中兼具极低导通电阻与合理的栅电荷，比对能效敏感且需要高电流能力的电源与电机应用具有显著优势。根据实际散热条件与系统拓扑选型，可带来较好的效率与热稳定性。