ESD5611N-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5611N-2/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路双向 TVS 二极管，用于静电放电（ESD）和浪涌（Surge）保护。器件特别针对 5V 级别信号线的瞬态抑制设计，兼容 IEC 61000-4-2（静电放电）与 IEC 61000-4-5（浪涌）标准，适合 USB、数据接口、微控制器 I/O 等对瞬态过压敏感的场合。封装为 DFN1006-2L，尺寸小巧，适合空间受限的便携与消费电子产品。

二、主要技术参数

• 类型：TVS（瞬态电压抑制器）
• 极性：双向（Bidirectional）
• 通道数：单路
• 反向截止电压 (Vrwm)：5V
• 击穿电压 (Vbr)：5.2V
• 钳位电压 (Vclamp)：11V（典型值，测量条件：Ipp）
• 峰值脉冲电流 (Ipp)：25A @ 8/20µs
• 结电容 (Cj)：65pF
• 反向电流 (Ir)：50nA
• 防护等级/标准：IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-5
• 封装：DFN1006-2L
• 品牌/型号：WILLSEMI / ESD5611N-2/TR

三、关键特性与优势

• 双向保护：能在双极性信号上抑制正负瞬态，适合差分信号或无固定参考的 I/O。
• 低工作电压匹配 5V 系统：Vrwm≈5V，可直接并联于 5V 级信号或电源线上，触发点接近系统电压，提高保护灵敏度。
• 良好浪涌承受能力：Ipp 25A（8/20µs）能应对常见的电涌冲击；钳位电压 11V 可将瞬态电压限制在器件和被保护电路可承受范围内。
• 小体积封装：DFN1006-2L 体积小、寄生电感低，便于高速线路布局与密集安装。
• 标准兼容：通过 IEC 61000 系列测试，便于系统满足 EMC/ESD 要求。

四、典型应用场景

• USB（数据线保护，尤其是 VBUS/信号线需 5V 级保护的场合）
• 消费类电子（手机、平板、便携设备的 I/O 口保护）
• 工业与控制设备的低压信号输入端保护
• 串行接口、键盘/触摸屏控制线、通用微控制器 I/O 端口

五、封装与 PCB 布局建议

• 将器件尽量靠近需保护的引脚位置放置，缩短信号到 TVS 的走线长度以降低环路电感。
• 对地端采用完整的接地平面或短回流路径，避免长回流路径引入额外噪声。
• 对于双向保护，直接并联于两条信号线之间或线对间；若保护的是单端对地信号，请核实电路拓扑以避免功能冲突。
• DFN 封装在回流焊接时需注意热剖面与焊盘设计，遵循厂商推荐的焊盘尺寸与回流曲线以保证可靠焊接。

六、选型与使用建议

• 结电容 65pF 对高频高速差分接口（例如 USB3.x、PCIe 等）可能引入负载，请评估对信号完整性的影响；对于普通 USB2.0/TTL/串口等场合通常可接受。
• 若系统需承受远超 25A 的浪涌或更苛刻的工业冲击，应考虑并联多个器件或选择更高 Ipp 级别的 TVS。
• 对于对泄漏电流敏感的电路，50nA 的反向电流通常较小，但在超低功耗待机设计中仍需评估总体漏电预算。
• 在产品认证与 EMC 设计阶段，可结合实际测试（IEC 61000-4-2/4-5）验证布局与器件性能，必要时调整器件位置或增加滤波元件以满足系统要求。

总体而言，ESD5611N-2/TR 以其针对 5V 级别的双向保护、适度的钳位与浪涌承受能力及小型 DFN 封装，适合多数消费类与工业低压信号保护场合。选用时关注结电容对信号影响与系统浪涌需求匹配，可实现可靠的瞬态防护。