ESD5451NL-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5451NL-2/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路、双向瞬态抑制二极管（TVS），专为 5V 级电源和信号线的静电放电（ESD）与浪涌（Surge）保护设计。主要参数：工作反向电压 VRWM = 5V；最小击穿电压 VBR(min) = 5.2V；钳位电压 VC = 11V（Ipp=4A，8/20μs）；峰值脉冲电流 Ipp = 4A（8/20μs）；峰值功率 Ppk = 44W；结电容 Cj ≈ 11pF；反向漏电流 Ir ≤ 500nA；封装为 DFN1006-2L，单通道双向结构，适配贴片自动化生产（TR＝带卷包装）。

二、主要特性

• 双向保护：无需极性区分，适用于交流或双向信号线。
• 低钳位电压：VC=11V@4A，在冲击时能有效限制电压峰值，保护后端器件。
• 低结电容（11pF）：对多数低速/中速数据信号影响较小，适用于常见接口的抗静电设计。
• 低漏电流：Ir ≤ 500nA，有利于低功耗系统和模拟信号完整性。
• 符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等工业级抗扰度标准，可靠性高。
• 超小 DFN1006-2L 封装，占板面积小，适用于便携与空间受限产品。

三、典型应用场景

• 5V 电源线防护（便携设备、充电器输入等）。
• GPIO、UART、I2C、SPI 等串行接口的防护（对结电容容忍度要求适中）。
• 消费类与工业控制电子（机顶盒、智能家居、工控终端）的输入输出口保护。
• 需要满足 IEC 静电与快速瞬变脉冲的场合。

四、封装与布局建议

DFN1006-2L 为超小表贴封装，推荐布局要点：

• 元件尽量靠近受保护的连接器或信号源放置，缩短信号回路长度以降低串联感抗。
• 两端接线短且宽，接地回路应低阻抗，必要时在附近设置 VIA 与地平面良好连接。
• 在高速或高精度模拟路径上评估 11pF 的影响，必要时采用串联阻抗或选择更低电容 TVS。
• 遵循厂家回流焊工艺规范进行贴装与焊接，避免热应力导致可靠性下降。

五、选型与设计注意事项

• 若用于高速差分信号（USB3.0/HDMI 等）或对带宽要求极高的接口，应优先考虑更低结电容的器件；本型号更适合 5V 电源与低/中速信号。
• 根据系统最大可承受电压和被保护器件的耐压选择 VRWM 和 VBR，确保在稳态下不触发击穿。
• 综合考虑 Ipp（4A@8/20μs）与系统可能遭受的冲击能量，必要时并联多路或选用更高能量等级的 TVS。
• 带卷包装（TR）适合大批量贴片生产，注意储存与防潮管理。

总结：ESD5451NL-2/TR 在小尺寸封装下提供 5V 级别的可靠双向瞬态抑制，适用于需要节省 PCB 空间且对钳位效率和合规性有要求的消费电子与工业应用。在高带宽场合请选择更低电容替代品；在 5V 电源与一般 I/O 保护方面，本器件为性价比较高的选择。